中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司徐曉偉獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司申請的專利半導體結構的形成方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114792624B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-15發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110106512.6，技術領域涉及：H01L21/033；該發明授權半導體結構的形成方法是由徐曉偉;朱辰設計研發完成，并于2021-01-26向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體結構的形成方法在說明書摘要公布了：一種半導體結構的形成方法，包括：提供待刻蝕層，待刻蝕層包括第一區和第二區；在第一區上形成第一核心層；在第一核心層側壁形成側墻材料層；在待刻蝕層上形成第二核心層；在第二區上形成阻擋層，部分阻擋層內具有隔斷溝槽；對第二核心層進行改性處理，在第二核心層內形成改性區；去除第一核心層和阻擋層覆蓋的第二核心層，形成第一開口和第二開口。在本技術方案中通過在阻擋層內形成隔斷溝槽，在去除阻擋層覆蓋的第二核心層之后，由隔離溝槽暴露出的改性區與其他改性區為整體結構，具有較強的穩定性，因此由隔離溝槽暴露出的改性區不易傾斜坍塌，進而降低了后續形成的第二導電層出現短接的風險，使得最終形成的半導體結構的性能有效提升。
本發明授權半導體結構的形成方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體結構的形成方法，其特征在于，包括： 提供待刻蝕層，所述待刻蝕層包括若干第一區和若干第二區，所述第一區和第二區沿第一方向排布，且所述第一區位于相鄰的所述第二區之間； 在所述第一區上形成第一核心層，所述第一核心層沿第二方向延伸，所述第一方向和所述第二方向相垂直； 在所述第一核心層側壁表面形成側墻材料層； 在所述待刻蝕層上形成第二核心層，所述第二核心層覆蓋所述側墻材料層的側壁； 在形成第二核心層之后，在所述第二區上形成阻擋層，所述阻擋層覆蓋部分所述第二核心層的頂部表面，所述阻擋層沿所述第二方向延伸，且部分所述阻擋層內具有隔斷溝槽，所述隔斷溝槽沿所述第一方向貫穿所述阻擋層； 以所述阻擋層為掩膜，對所述第二核心層進行改性處理，在第二核心層內形成改性區，所述改性區內具有改性離子； 在形成所述改性區之后，去除所述阻擋層、第一核心層以及所述阻擋層覆蓋的所述第二核心層，在所述第二核心層內形成第一開口和第二開口。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司，其通訊地址為：201203 上海市浦東新區張江路18號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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