聯(lián)華電子股份有限公司方俊斌獲國家專利權(quán)
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龍圖騰網(wǎng)獲悉聯(lián)華電子股份有限公司申請的專利高電子遷移率晶體管及其制作方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN114725211B 。
龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-15發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202110002380.2，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D30/47；該發(fā)明授權(quán)高電子遷移率晶體管及其制作方法是由方俊斌;潘貞維設(shè)計研發(fā)完成，并于2021-01-04向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。
本高電子遷移率晶體管及其制作方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明公開一種高電子遷移率晶體管及其制作方法，其中該制作高電子遷移率晶體管的方法為，首先形成一緩沖層于基底上，然后進行一現(xiàn)場摻雜制作工藝以形成第一含氟層于緩沖層上，形成一阻障層于第一含氟層上，形成第二含氟層于阻障層上，形成一柵極電極于第二含氟層上，再形成一源極電極以及一漏極電極于該柵極電極兩側(cè)。
本發(fā)明授權(quán)高電子遷移率晶體管及其制作方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種制作高電子遷移率晶體管highelectronmobilitytransistor,HEMT的方法，其特征在于，包含： 形成緩沖層于基底上； 形成第一含氟層于該緩沖層上，該第一含氟層的寬度與該緩沖層的寬度相同； 形成阻障層于該第一含氟層上； 形成柵極電極于該阻障層上；以及 形成源極電極以及漏極電極于該柵極電極兩側(cè)， 其中該第一含氟層的寬度和該緩沖層的寬度均是指從該源極電極到該漏極電極的方向上的寬度。
如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人聯(lián)華電子股份有限公司，其通訊地址為：中國臺灣新竹市；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。
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1、本報告根據(jù)公開、合法渠道獲得相關(guān)數(shù)據(jù)和信息，力求客觀、公正，但并不保證數(shù)據(jù)的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結(jié)論僅反映本公司于發(fā)布本報告當日的職業(yè)理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據(jù)或者憑證。
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