南京力安半導體有限公司曾安獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉南京力安半導體有限公司申請的專利晶圓測量裝置獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN113155051B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-15發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202011567672.2,技術領域涉及:G01B11/24;該發明授權晶圓測量裝置是由曾安設計研發完成,并于2020-12-25向國家知識產權局提交的專利申請。
本晶圓測量裝置在說明書摘要公布了:本申請實施例提供了一種晶圓測量裝置。該晶圓測量裝置包括氣浮卡盤,用于產生氣墊以使待測量的晶圓能夠懸浮在氣浮卡盤的頂部表面;干涉儀,設置在晶圓的遠離氣浮卡盤的一側,用于獲取晶圓的正面的干涉條紋圖像,以基于干涉條紋圖像對晶圓進行形狀測量和或平整度測量,晶圓的正面為晶圓遠離氣浮卡盤的表面。本申請實施例通過利用氣浮卡盤產生氣墊以使待測量的晶圓能夠懸浮在氣浮卡盤的頂部表面,從而避免夾持工具對晶圓原始形狀的破壞或污染,進而減少測量誤差。
本發明授權晶圓測量裝置在權利要求書中公布了:1.一種晶圓測量裝置,其特征在于,包括: 氣浮卡盤,用于產生氣墊以使待測量的晶圓能夠懸浮在所述氣浮卡盤的頂部表面; 干涉儀,設置在所述晶圓的遠離所述氣浮卡盤的一側,用于獲取所述晶圓的正面的干涉條紋圖像,以基于所述干涉條紋圖像對所述晶圓進行形狀測量和或平整度測量,其中,所述晶圓的正面為所述晶圓遠離所述氣浮卡盤的表面; 電容傳感器,設置在所述氣浮卡盤的中部,用于測量所述晶圓的背面上至少一個位置點對應的位置信息以得到電容傳感器讀數CPn,或者,基于所述電容傳感器讀數CPn監測所述氣浮卡盤上是否存在所述晶圓,或者,基于所述電容傳感器讀數CPn監測第一預定距離,其中,所述晶圓的背面為所述晶圓靠近所述氣浮卡盤的表面; 激光器,位于所述氣浮卡盤的頂部表面的上方側邊,用于向所述晶圓的正面發出第一激光; 位置傳感器,位于所述氣浮卡盤的頂部表面的上方側邊且與所述激光器的對立的一側,用于接收所述第一激光經由所述晶圓的正面上反射后的第二激光且根據所述第二激光測量所述晶圓的正面上第一位置點對應的位置信息,以得到位置傳感器讀數Vx,其中,所述電容傳感器還用于測量所述晶圓的背面上第二位置點對應的位置信息,以得到電容傳感器讀數CPn,所述第一位置點與所述第二位置點為所述晶圓中表征厚度的相對的兩個位置點; 第一標準晶圓; 處理器,與所述位置傳感器和所述電容傳感器連接,以獲取所述位置傳感器讀數Vx和所述電容傳感器讀數CPn,并將所述位置傳感器讀數Vx和所述電容傳感器讀數CPn代入公式T晶圓=T0+CP0-CPn+S*Vx–V0中以獲取所述晶圓的厚度T晶圓,其中,所述公式中的T0為所述第一標準晶圓的厚度,CP0為所述第一標準晶圓在基準預定距離處時的基準電容傳感器讀數,V0為所述第一標準晶圓在基準預定距離處時的基準位置傳感器讀數,S為橫坐標為所述第一標準晶圓處于不同預定距離時所述位置傳感器讀數Vx,縱坐標為所述第一標準晶圓處于不同預定距離時所述電容傳感器讀數CPn與基準電容傳感器讀數CP0的差值hx的關系圖中直線的斜率; 質量傳感器,用于測量所述晶圓的質量以獲取所述晶圓的平均厚度。
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