中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司王彥獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司申請的專利半導體結構及其形成方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN113707599B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-15發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202010437587.8，技術領域涉及：H01L21/768；該發明授權半導體結構及其形成方法是由王彥;王勝設計研發完成，并于2020-05-21向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體結構及其形成方法在說明書摘要公布了：一種半導體結構及其形成方法，其中方法包括：在導電層上形成介質層；在所述介質層內形成暴露出所述導電層頂部表面的第一開口，且所述第一開口沿垂直于第一開口側壁方向上具有第一尺寸；刻蝕所述第一開口底部暴露出的導電層，在所述導電層內形成初始第二開口；對所述初始第二開口側壁和底部暴露出的導電層進行至少一次改性刻蝕處理，在所述導電層內形成第二開口，所述第二開口沿垂直于第二開口側壁方向上具有第二尺寸，且所述第二尺寸大于第一尺寸。所述方法能夠提高形成的半導體結構的性能。
本發明授權半導體結構及其形成方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體結構的形成方法，其特征在于，包括： 在導電層上形成介質層； 在所述介質層內形成暴露出所述導電層頂部表面的第一開口，且所述第一開口沿垂直于第一開口側壁方向上具有第一尺寸； 刻蝕所述第一開口底部暴露出的導電層，在所述導電層內形成初始第二開口，包括：對所述第一開口底部暴露出的導電層進行改性處理，形成第二過渡層；去除所述第二過渡層，在所述導電層內形成所述初始第二開口； 對所述初始第二開口側壁和底部暴露出的導電層進行至少一次改性刻蝕處理，在所述導電層內形成第二開口，所述第一開口底部暴露出所述第二開口；所述第二開口的底部及側壁均暴露出所述導電層；所述第二開口沿垂直于第二開口側壁方向上具有第二尺寸，且所述第二尺寸大于第一尺寸；所述第二尺寸大于第一尺寸的范圍為8納米至20納米。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司，其通訊地址為：201203 上海市浦東新區張江路18號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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