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龍圖騰網(wǎng)獲悉江蘇華存電子科技有限公司申請(qǐng)的專利一種固態(tài)硬盤運(yùn)行狀態(tài)監(jiān)測(cè)的方法、系統(tǒng)、設(shè)備和存儲(chǔ)介質(zhì)獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN120336127B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-19發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202510816076.X，技術(shù)領(lǐng)域涉及：G06F11/30；該發(fā)明授權(quán)一種固態(tài)硬盤運(yùn)行狀態(tài)監(jiān)測(cè)的方法、系統(tǒng)、設(shè)備和存儲(chǔ)介質(zhì)是由李庭育;陳育鳴;魏智汎;莊健民;齊元輔設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2025-06-18向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本一種固態(tài)硬盤運(yùn)行狀態(tài)監(jiān)測(cè)的方法、系統(tǒng)、設(shè)備和存儲(chǔ)介質(zhì)在說(shuō)明書摘要公布了：本發(fā)明公開了一種固態(tài)硬盤運(yùn)行狀態(tài)監(jiān)測(cè)的方法、系統(tǒng)、設(shè)備和存儲(chǔ)介質(zhì)，屬于固態(tài)硬盤運(yùn)行狀態(tài)監(jiān)測(cè)技術(shù)領(lǐng)域，該方法包括以下步驟：S1、監(jiān)測(cè)不同固態(tài)硬盤運(yùn)行時(shí)的核心指標(biāo)包括健康度指標(biāo)、性能指標(biāo)、環(huán)境與硬件指標(biāo)；為不同型號(hào)的固態(tài)硬盤建立字段映射表，將不同廠商的SMART屬性統(tǒng)一轉(zhuǎn)換為自定義指標(biāo)；將主控溫度、寫入速度、讀取錯(cuò)誤率、環(huán)境溫度結(jié)合，預(yù)測(cè)NAND不同區(qū)域溫度值；將溫度、電壓、寫入放大率結(jié)合，對(duì)固態(tài)硬盤的剩余壽命進(jìn)行修正。本發(fā)明通過(guò)統(tǒng)一SMART屬性指標(biāo)，以及精準(zhǔn)預(yù)測(cè)NAND溫度，并結(jié)合多因素預(yù)測(cè)壽命，能夠有效提升固態(tài)硬盤運(yùn)維效率，為固態(tài)硬盤穩(wěn)定運(yùn)行提供安全保障。

本發(fā)明授權(quán)一種固態(tài)硬盤運(yùn)行狀態(tài)監(jiān)測(cè)的方法、系統(tǒng)、設(shè)備和存儲(chǔ)介質(zhì)在權(quán)利要求書中公布了：1.一種固態(tài)硬盤運(yùn)行狀態(tài)監(jiān)測(cè)的方法，其特征在于，該方法包括以下步驟： S1、監(jiān)測(cè)不同固態(tài)硬盤運(yùn)行時(shí)的核心指標(biāo)包括健康度指標(biāo)、性能指標(biāo)、環(huán)境與硬件指標(biāo)； S2、為不同型號(hào)的固態(tài)硬盤建立字段映射表，將不同廠商的SMART屬性統(tǒng)一轉(zhuǎn)換為自定義指標(biāo)； S3、將主控溫度、寫入速度、讀取錯(cuò)誤率、環(huán)境溫度結(jié)合，預(yù)測(cè)NAND不同區(qū)域溫度值； S31、將NAND芯片分為邊緣、中心、層間區(qū)域，通過(guò)SMART數(shù)據(jù)分析擦寫次數(shù)分布； S32、根據(jù)主控溫度、寫入速度、讀取錯(cuò)誤率、環(huán)境溫度構(gòu)建熱力學(xué)模型，并計(jì)算NAND芯片不同區(qū)域的溫度值，具體公式為： ； 其中，為計(jì)算后的NAND熱點(diǎn)區(qū)域溫度值，為環(huán)境溫度，為主控與NAND間的溫升，且,其中，主控溫度，為反映主控到NAND的熱傳導(dǎo)效率的熱阻系數(shù)，為寫入導(dǎo)致的升溫，且，其中，為寫入速度，為基準(zhǔn)功耗，為反應(yīng)功耗轉(zhuǎn)溫升效率的熱阻系數(shù)，為讀取錯(cuò)誤率導(dǎo)致的額外溫升，且,其中，分別為讀取錯(cuò)誤率與讀取錯(cuò)誤率的閾值，為糾錯(cuò)溫升系數(shù)； S33、對(duì)NAND芯片不同區(qū)域的溫度數(shù)據(jù)進(jìn)行處理，獲得最終溫度； S4、將溫度、電壓、寫入放大率結(jié)合，對(duì)固態(tài)硬盤的剩余壽命進(jìn)行修正； S41、計(jì)算WAF，且，其中分別為NAND寫入量和主機(jī)寫入量； S42、構(gòu)建綜合壽命修正模型，具體公式為： ； 其中，為計(jì)算后的剩余壽命，為廠商標(biāo)稱的寫入放大率，為廠商測(cè)試環(huán)境溫度，為異常斷電次數(shù)和電壓超出±10%標(biāo)稱值的事件，為溫度系數(shù)、WAF系數(shù)、電壓系數(shù)； S43，將剩余壽命數(shù)據(jù)輸出。

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