晶芯成(北京)科技有限公司;合肥晶合集成電路股份有限公司阮鋼獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉晶芯成(北京)科技有限公司;合肥晶合集成電路股份有限公司申請的專利一種半導體器件及其制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN120302743B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-19發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510782771.9，技術領域涉及：H10F39/18；該發明授權一種半導體器件及其制造方法是由阮鋼;羅欽賢;蘇圣哲設計研發完成，并于2025-06-12向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種半導體器件及其制造方法在說明書摘要公布了：本申請提供一種半導體器件及其制造方法，涉及半導體技術領域。本申請發現半導體光學傳感器中高K值金屬氧化物介電層與氧化硅介質層結合性較差而導致器件內部容易產生空洞并嚴重影響器件性能。針對該情況本申請提供的半導體器件及其制造方法，在介電層上形成介質層前，執行等離子工藝并利用氧化硅前驅體轟擊介電層，以使介電層表面含氧鍵斷裂并與氧化硅前驅體的硅氧鍵結合，而在介電層表面形成類硅酸鹽結構界面，以在類硅酸鹽結構界面上形成介質層。由此，類硅酸鹽結構界面為氧化硅提供的連續的成核點，使氧化硅致密沉積在類硅酸鹽結構界面上，使介電層與介質層通過類硅酸鹽結構界面致密結合，避免了介質層內層級分離導致的內部孔洞。
本發明授權一種半導體器件及其制造方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體器件的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括： 提供一襯底，其中，所述襯底包括多個像素單元以及隔離所述像素單元的隔離溝槽； 在所述襯底上形成介電層，其中，所述介電層的沉積材料包括介電常數高于氧化硅的含氧透光化合物或其組合； 執行等離子工藝并向所述襯底釋放氧化硅前驅體，以使所述介電層表面含氧鍵斷裂并與所述氧化硅前驅體的硅氧鍵結合，而在所述介電層表面形成類硅酸鹽結構界面； 在所述介電層上沉積氧化硅以填充所述隔離溝槽，而在所述類硅酸鹽結構界面上形成介質層。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人晶芯成(北京)科技有限公司;合肥晶合集成電路股份有限公司，其通訊地址為：100176 北京市大興區北京經濟技術開發區科創十三街29號院一區2號樓13層1302-C54；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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