湖南工商大學田乾磊獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉湖南工商大學申請的專利一種基于微納褶皺襯底的光電探測器及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN120239373B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-19發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510720083.X，技術領域涉及：H10F77/70；該發明授權一種基于微納褶皺襯底的光電探測器及其制備方法是由田乾磊;岳龍;周源;余方煜;陳貝寧;譚嘉俊;蘇丹設計研發完成，并于2025-05-30向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種基于微納褶皺襯底的光電探測器及其制備方法在說明書摘要公布了：本發明屬于半導體技術領域，具體公開了一種基于微納褶皺襯底的光電探測器及其制備方法，制備方法包括以下步驟：將硅片經預處理后，獲得硅基底；其中，所述硅片包括下層的單晶硅和上層的氧化硅；在所述硅基底的氧化硅上真空熱蒸發沉積鎂金屬層，鎂金屬層的上表面經紫外臭氧氧化，制備褶皺微納米結構；將機械剝離得到的硫化鉬經干法轉移貼合至所述鎂金屬層的上表面的褶皺微納米結構上，并經電子束蒸發鍍膜系統在所述硫化鉬表面沉積源電極和漏電極。本發明提供的一種基于微納褶皺襯底的光電探測器具有制備工藝簡單、響應速率快、可靠性好、穩定性高等優點。
本發明授權一種基于微納褶皺襯底的光電探測器及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種基于微納褶皺襯底的光電探測器的制備方法，其特征在于，包括以下步驟： S1、將硅片經預處理后，獲得硅基底；其中，所述硅片包括下層的單晶硅和上層的氧化硅； S2、在所述硅基底的氧化硅上真空熱蒸發沉積鎂金屬層，鎂金屬層的上表面經紫外臭氧氧化，制備褶皺微納米結構； S3、將機械剝離得到的硫化鉬經干法轉移貼合至所述鎂金屬層的上表面的褶皺微納米結構上，并經電子束蒸發鍍膜系統在所述硫化鉬表面沉積源電極和漏電極。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人湖南工商大學，其通訊地址為：410205 湖南省長沙市岳麓區岳麓大道569號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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