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龍圖騰網(wǎng)獲悉深圳市天諾通光電科技有限公司申請(qǐng)的專利超高光效鈣鈦礦量子點(diǎn)PC材料在mini模組中的應(yīng)用獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN120091679B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-19發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202510570968.6，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10H29/01；該發(fā)明授權(quán)超高光效鈣鈦礦量子點(diǎn)PC材料在mini模組中的應(yīng)用是由莊瑞睦;丁斌;莊瑞榮設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2025-05-06向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本超高光效鈣鈦礦量子點(diǎn)PC材料在mini模組中的應(yīng)用在說(shuō)明書摘要公布了：本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，公開了超高光效鈣鈦礦量子點(diǎn)PC材料對(duì)mini模組應(yīng)用，包括以下步驟：S1、合成鈣鈦礦量子點(diǎn)：在惰性氣體的環(huán)境下，通過(guò)熱注射法制備鈣鈦礦量子點(diǎn)；S2、抗淬滅處理：在鈣鈦礦量子點(diǎn)表面包覆抗淬滅層，所述抗淬滅層包括無(wú)機(jī)氧化物殼層或有機(jī)聚合物殼層；S3、量子點(diǎn)分散：將抗淬滅處理后的鈣鈦礦量子點(diǎn)分散于有機(jī)溶劑中；S4、PC材料復(fù)合；S5、圖案化處理；S6、固化成型。通過(guò)量子點(diǎn)分散液與PC材料結(jié)合，利用PC材料良好的機(jī)械性能、化學(xué)穩(wěn)定性和高抗熱性能，為鈣鈦礦量子點(diǎn)提供穩(wěn)定的支撐基體，從而使復(fù)合材料既具備鈣鈦礦量子點(diǎn)的高光效發(fā)光特性，又擁有PC材料的實(shí)用性能，滿足mini模組對(duì)材料光學(xué)和物理性能的雙重要求。

本發(fā)明授權(quán)超高光效鈣鈦礦量子點(diǎn)PC材料在mini模組中的應(yīng)用在權(quán)利要求書中公布了：1.超高光效鈣鈦礦量子點(diǎn)PC材料在mini模組中的應(yīng)用，其特征在于，包括以下步驟： S1、合成鈣鈦礦量子點(diǎn)：在惰性氣體的環(huán)境下，通過(guò)熱注射法制備鈣鈦礦量子點(diǎn)； S2、抗淬滅處理：在鈣鈦礦量子點(diǎn)表面包覆抗淬滅層，所述抗淬滅層包括無(wú)機(jī)氧化物殼層或有機(jī)聚合物殼層； S3、量子點(diǎn)分散：將抗淬滅處理后的鈣鈦礦量子點(diǎn)分散于有機(jī)溶劑中，進(jìn)行攪拌，形成均勻的量子點(diǎn)分散液； S4、PC材料復(fù)合：將量子點(diǎn)分散液與PC材料混合，通過(guò)溶液共混法，使量子點(diǎn)分散于PC材料基體中； S5、圖案化處理：通過(guò)光刻技術(shù)，在PC材料表面形成預(yù)設(shè)的量子點(diǎn)圖案； S6、固化成型：將圖案化處理后的PC材料進(jìn)行熱壓，形成超高光效鈣鈦礦量子點(diǎn)PC材料，應(yīng)用于Mini模組功能層中； 所述S1中制備鈣鈦礦量子點(diǎn)粒徑在5-20nm； 所述S2中抗淬滅層的厚度為1-10nm，所述無(wú)機(jī)氧化物殼層包括二氧化硅、氧化鋁或二氧化鈦，所述有機(jī)聚合物殼層包括聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯或聚乙烯吡咯烷酮； 所述抗淬滅處理具體包括以下步驟： S201、將無(wú)機(jī)氧化物殼層或有機(jī)聚合物殼層對(duì)應(yīng)材料，通過(guò)加入有機(jī)溶劑，制備抗淬滅層前驅(qū)體溶液； S202、將鈣鈦礦量子點(diǎn)分散于抗淬滅層前驅(qū)體溶液中，同時(shí)攪拌以促進(jìn)混合，形成抗淬滅層； S203、采用旋涂法在玻璃基底形成抗淬滅層，旋涂速度設(shè)置為3000-5000轉(zhuǎn)分鐘，旋涂時(shí)間為30～60秒； S204、在形成抗淬滅層后，若為無(wú)機(jī)氧化物殼層，在80-120℃的烘箱中固化2-4小時(shí)，若為有機(jī)聚合物殼層，在60-80℃的真空烘箱中干燥6-8小時(shí)； 所述S3中有機(jī)溶劑包括甲苯或氯苯，所述量子點(diǎn)分散液中鈣鈦礦量子點(diǎn)的質(zhì)量濃度為1%～3%； 所述圖案化處理包括以下步驟： S501、在初步復(fù)合PC材料表面旋涂光刻膠； S502、然后將帶有預(yù)設(shè)量子點(diǎn)圖案的掩模版覆蓋在光刻膠上，通過(guò)紫外光對(duì)其進(jìn)行曝光； S503、曝光完成后，用顯影液顯影3～5分鐘，并去除未曝光的光刻膠，在PC材料表面形成預(yù)設(shè)的量子點(diǎn)圖案； 所述S6中熱壓溫度為180-220℃，壓力為5-10MPa，熱壓時(shí)間在10～20分鐘，所述Mini模組功能層包括光學(xué)膜、導(dǎo)光板和封裝層。

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