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龍圖騰網獲悉安徽大學申請的專利RHBD-12T抗輻照SRAM存儲單元、芯片、模塊獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115171752B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-19發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210818360.7，技術領域涉及：G11C11/412；該發明授權RHBD-12T抗輻照SRAM存儲單元、芯片、模塊是由趙強;程偉;彭春雨;盧文娟;吳秀龍;藺智挺;陳軍寧設計研發完成，并于2022-07-12向國家知識產權局提交的專利申請。

本RHBD-12T抗輻照SRAM存儲單元、芯片、模塊在說明書摘要公布了：本發明涉及RHBD?12T抗輻照SRAM存儲單元、芯片、模塊。基于源隔離與極性加固技術的RHBD?12T抗輻照SRAM存儲單元包括NMOS晶體管N1～N8和PMOS晶體管P1～P4，晶體管P1～P4和N3、N4作為上拉管，晶體管N1、N2、N5、N6作為下拉管，晶體管N1和P3構成一個反相器，晶體管N2和P4構成另一個反相器，兩個反相器交叉耦合；兩個主存儲節點Q與QB通過N7與N8分別與位線BL和位線BLB相連，晶體管N7、N8由字線WL控制。本發明通過只設置兩個敏感存儲節點，大大減小了電路的敏感節點數量與敏感區域的面積，從而提高了電路的抗輻射性能。

本發明授權RHBD-12T抗輻照SRAM存儲單元、芯片、模塊在權利要求書中公布了：1.基于源隔離與極性加固技術的RHBD-12T抗輻照SRAM存儲單元，其特征在于，其包括： PMOS晶體管P1； PMOS晶體管P2，P2的源極與P1的源極電連接； PMOS晶體管P3，P3的源極與P1的漏極電連接； PMOS晶體管P4，P4的源極與P2的漏極電連接，P4的漏極與P3的柵極電連接，P4的柵極與P3的漏極電連接； NMOS晶體管N1，N1的漏極與P3的漏極、P4的柵極電連接，N1的柵極與P3的柵極、P4的漏極電連接； NMOS晶體管N2，N2的源極與N1的源極電連接，N2的漏極與P4的漏極、P3的柵極、N1的柵極電連接，N2的柵極與P4的柵極、P3的漏極、N1的漏極電連接； NMOS晶體管N3，N3的源極與P2的柵極電連接，N3的漏極與P1的漏極電連接，N3的柵極與P2的源極、P1的源極電連接； NMOS晶體管N4，N4的源極與P1的柵極電連接，N4的漏極與P2的漏極電連接，N4的柵極與N3的柵極、P2的源極、P1的源極電連接； NMOS晶體管N5，N5的源極與N2的源極、N1的源極電連接，N5的漏極與N3的源極、P2的柵極電連接，N5的柵極與P4的漏極、N2的漏極、P3的柵極、N1的柵極電連接； NMOS晶體管N6，N6的源極與N5的源極、N2的源極、N1的源極電連接，N6的漏極與N4的源極、P1的柵極電連接，N6的柵極與P3的漏極、N2的柵極、P4的柵極、P3的漏極、N1的漏極電連接； NMOS晶體管N7，N7的漏極與N1的漏極、P3的漏極電連接，N7的源極與位線BL電連接，N7的柵極與字線WL電連接； NMOS晶體管N8，N8的漏極與N2的漏極、P4的漏極電連接，N8的源極與位線BLB電連接，N8的柵極與字線WL電連接； 晶體管P1、P2的源極共接VDD，晶體管N1、N2、N5、N6的源極共接地，晶體管P1～P4和N3、N4作為上拉管，晶體管N1、N2、N5、N6作為下拉管；晶體管N1和P3構成一個反相器，晶體管N2和P4構成另一個反相器，兩個反相器交叉耦合；兩個主存儲節點Q與QB通過N7與N8分別與位線BL和位線BLB相連，晶體管N7、N8由字線WL控制。

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