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龍圖騰網(wǎng)獲悉浙江同芯祺科技有限公司申請的專利半導體表面槽孔的制備方法及IGBT器件表面槽孔的制備獲國家發(fā)明授權專利權，本發(fā)明授權專利權由國家知識產(chǎn)權局授予，授權公告號為：CN115274552B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權局官網(wǎng)在2025-08-19發(fā)布的發(fā)明授權授權公告中獲悉：該發(fā)明授權的專利申請?zhí)?專利號為：202210781688.6，技術領域涉及：H01L21/768；該發(fā)明授權半導體表面槽孔的制備方法及IGBT器件表面槽孔的制備是由嚴立巍;文鍾設計研發(fā)完成，并于2022-07-05向國家知識產(chǎn)權局提交的專利申請。

本半導體表面槽孔的制備方法及IGBT器件表面槽孔的制備在說明書摘要公布了：本發(fā)明提出了一種半導體表面槽孔的制備方法及IGBT器件表面槽孔的制備，制備方法包括：S101，在硅基表面涂布有機碳層；S102，在有機碳層的側(cè)壁制備第一防護部；S103，在第一防護部的外表面制備有機碳防護部；S104，在有機碳防護部的保護下，蝕刻制備溝槽；S105，去除有機碳層和有機碳防護部；S106，對硅基進行高溫氧化工藝，形成氧化層；S107，在溝槽填充多晶硅；S108，對硅基注入N+；S109，在硅基表面制備ILD層；S110，臨近第一防護部位置處制備第二防護部和金屬孔；S111，在第二防護部的保護下金屬填充金屬孔。本發(fā)明通過設置第一防護部和第二防護部，利用不同材質(zhì)選擇比，在溝槽和接觸孔的制備及填充過程中進行阻擋保護，提高了槽孔制備的良品率。

本發(fā)明授權半導體表面槽孔的制備方法及IGBT器件表面槽孔的制備在權利要求書中公布了：1.一種半導體表面槽孔的制備方法，其特征在于，包括： S101，在硅基表面涂布有機碳層； S102，在所述有機碳層的側(cè)壁制備第一防護部； S103，在所述第一防護部的外表面制備有機碳防護部； S104，在所述有機碳防護部的保護下，蝕刻制備溝槽； S105，去除所述有機碳層和有機碳防護部； S106，對所述硅基進行高溫氧化工藝，形成氧化層； S107，在所述溝槽填充多晶硅； S108，對所述硅基注入N+； S109，在所述硅基表面制備ILD層； S110，臨近所述第一防護部位置處制備第二防護部和金屬孔； S111，在所述第二防護部的保護下金屬填充所述金屬孔。

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