長江先進存儲產業創新中心有限責任公司劉峻獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉長江先進存儲產業創新中心有限責任公司申請的專利一種三維存儲器的制造方法及三維存儲器獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114649366B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-19發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210160775.X，技術領域涉及：H10B63/10；該發明授權一種三維存儲器的制造方法及三維存儲器是由劉峻;張恒;陳營設計研發完成，并于2022-02-22向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種三維存儲器的制造方法及三維存儲器在說明書摘要公布了：本發明實施例公開了一種三維存儲器及其制造方法，所述制造方法包括：提供半導體結構，半導體結構包括存儲區和對位區，存儲區內設置有第一導電線環、下部相變存儲單元及第二導電線環；采用一道刻蝕工藝，在存儲區和對位區內分別形成第一溝槽和第二溝槽，第一溝槽用于移除第一導電線環的兩個端部、第二導電線環的兩個端部以分別形成第一導電線、第二導電線；形成第一介質層，第一介質層覆蓋半導體結構且填充第一溝槽和第二溝槽，第二溝槽內具有縫隙；對第一介質層及半導體結構執行平坦化工藝以暴露出第二導電線及縫隙；在半導體結構上形成上部相變存儲堆疊材料層，上部相變存儲堆疊材料層在縫隙的上方位置處形成有凹陷，凹陷構成第一對準標記。
本發明授權一種三維存儲器的制造方法及三維存儲器在權利要求書中公布了：1.一種三維存儲器的制造方法，其特征在于，包括： 提供半導體結構，所述半導體結構包括存儲區和對位區，所述存儲區內由下至上設置有第一導電線環、下部相變存儲單元及第二導電線環； 采用一道刻蝕工藝，在所述存儲區和所述對位區內分別形成第一溝槽和第二溝槽；其中，所述第一溝槽用于移除所述第一導電線環的兩個端部、所述第二導電線環的兩個端部以分別形成第一導電線、第二導電線； 形成第一介質層，所述第一介質層覆蓋所述半導體結構且填充所述第一溝槽和所述第二溝槽；其中，所述第二溝槽內具有未被所述第一介質層填充的縫隙； 對所述第一介質層及所述半導體結構執行平坦化工藝以暴露出所述第二導電線及所述縫隙； 在所述半導體結構上形成上部相變存儲堆疊材料層，所述上部相變存儲堆疊材料層在所述縫隙的上方位置處形成有凹陷，所述凹陷構成第一對準標記。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人長江先進存儲產業創新中心有限責任公司，其通訊地址為：430014 湖北省武漢市東湖新技術開發區高新大道999號未來科技城海外人才大樓A座18樓242室；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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