買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標用IPTOP,全免費！專利年費監控用IP管家,真方便！

龍圖騰網獲悉西安電子科技大學申請的專利一種基于多柵調制的多閾值耦合器件及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114724950B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-19發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210148223.7，技術領域涉及：H10D30/01；該發明授權一種基于多柵調制的多閾值耦合器件及其制備方法是由朱青;陳怡霖;張濛;馬曉華;田曉坤;宓珉瀚設計研發完成，并于2022-02-17向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種基于多柵調制的多閾值耦合器件及其制備方法在說明書摘要公布了：本發明涉及一種基于多柵調制的多閾值耦合器件及其制備方法，方法包括：選取襯底層；在襯底層上生長緩沖層；在緩沖層上生長i?GaN層；在i?GaN層上生長AlGaN勢壘層；在AlGaN勢壘層上淀積歐姆金屬；從AlGaN勢壘層的外圍注入離子至i?GaN層內；在AlGaN勢壘層上制備SiN層；將柵腳區域的SiN層去除；在柵腳區域的AlGaN勢壘層上淀積平面柵金屬，制備平面柵；間隔去除凹槽柵區域的平面柵金屬、部分AlGaN勢壘層，使平面柵金屬呈預設間隔間斷排布；在凹槽柵區域的AlGaN勢壘層上和間隔排布的平面柵金屬上制備Al2O3介質層；在凹槽柵區域Al2O3介質層的底部和側壁上淀積凹槽柵金屬，制備凹槽柵。本發明通過在凹槽柵區域和平面柵區域施加不同的柵極電偏置，實現多閾值耦合，從而提高器件的跨導平坦度。

本發明授權一種基于多柵調制的多閾值耦合器件及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種基于多柵調制的多閾值耦合器件的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括： 選取襯底層； 在所述襯底層上生長緩沖層； 在所述緩沖層上生長i-GaN層； 在所述i-GaN層上生長AlGaN勢壘層； 在所述AlGaN勢壘層上淀積歐姆金屬，以制備源極和漏極； 從所述AlGaN勢壘層的外圍注入離子至所述i-GaN層內，以實現器件隔離； 在所述AlGaN勢壘層上制備SiN層； 將柵腳區域的所述SiN層去除，以暴露所述柵腳區域的所述AlGaN勢壘層； 在所述柵腳區域的所述AlGaN勢壘層上淀積平面柵金屬，以制備平面柵； 間隔去除凹槽柵區域的所述平面柵金屬、部分所述AlGaN勢壘層，以使所述平面柵金屬呈預設間隔間斷排布； 在所述凹槽柵區域的所述AlGaN勢壘層上和間隔排布的所述平面柵金屬上制備Al2O3介質層； 在所述凹槽柵區域的所述Al2O3介質層的底部和側壁上淀積凹槽柵金屬，以制備凹槽柵。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人西安電子科技大學，其通訊地址為：710000 陜西省西安市雁塔區太白南路2號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。