福建兆元光電有限公司解向榮獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉福建兆元光電有限公司申請的專利一種HEMT外延片及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114156164B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-19發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111622098.0，技術領域涉及：H01L21/02；該發明授權一種HEMT外延片及其制備方法是由解向榮;吳永勝;劉恒山;馬野設計研發完成，并于2021-12-28向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種HEMT外延片及其制備方法在說明書摘要公布了：本發明公開的一種HEMT外延片及其制備方法，在襯底上濺射氮化鋁緩沖層，在氮化鋁緩沖層上生長非摻雜氮化鎵層，之后在非摻雜氮化鎵層上循環濺射鋁單層和氮化鋁單層，在已循環濺射的外延片上生長N型鋁鎵氮層。因此在鋁單層上濺射氮化鋁單層能夠提高鍵合能力，同時循環濺射鋁單層和氮化鋁單層能夠避免使用單一氮化鋁層而隨著厚度增加帶來的應力問題和遷移率低的問題，避免整個外延片的中心區域和邊緣的質量相差增大，從而通過增加鋁組分提高二維電子氣濃度的同時，減少界面缺陷且不影響二維電子氣遷移率。
本發明授權一種HEMT外延片及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種HEMT外延片制備方法，其特征在于，包括步驟： 在襯底上濺射氮化鋁緩沖層； 在金屬有機化合物化學氣相沉積設備中，在所述氮化鋁緩沖層上生長非摻雜氮化鎵層； 將所述非摻雜氮化鎵層在氨氣和氮氣的保護下進行退火處理，并轉移出所述金屬有機化合物化學氣相沉積設備； 在所述非摻雜氮化鎵層上循環濺射鋁單層和氮化鋁單層，所述鋁單層在等離子體增強化學氣相沉積內濺射，所述氮化鋁單層在化學氣相沉積內濺射； 在金屬有機化合物化學氣相沉積設備中，在已循環濺射的外延片上生長N型鋁鎵氮層。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人福建兆元光電有限公司，其通訊地址為：350109 福建省福州市閩侯縣南嶼鎮生物醫藥和機電產業園區；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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