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龍圖騰網(wǎng)獲悉中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司申請的專利半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN116261321B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-19發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202111501560.1，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10B10/00；該發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法是由王楠設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2021-12-09向國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法在說明書摘要公布了：一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法，包括：提供襯底，包括器件單元區(qū)，器件單元區(qū)的襯底頂部形成有多個(gè)溝道結(jié)構(gòu)，相鄰溝道結(jié)構(gòu)之間形成有介電墻，沿第一方向，溝道結(jié)構(gòu)所在的區(qū)域包括有效區(qū)和待切割區(qū)；去除待切割區(qū)的溝道結(jié)構(gòu)；去除位于待切割區(qū)的側(cè)部且覆蓋溝道結(jié)構(gòu)側(cè)壁的介電墻；在襯底頂部形成橫跨溝道結(jié)構(gòu)、以及位于溝道結(jié)構(gòu)之間的介電墻的偽柵結(jié)構(gòu)；去除待切割區(qū)的溝道結(jié)構(gòu)、以及去除位于待切割區(qū)的側(cè)部且覆蓋溝道結(jié)構(gòu)側(cè)壁的介電墻之后，在偽柵結(jié)構(gòu)兩側(cè)的溝道疊層中形成源漏摻雜層，待切割區(qū)側(cè)部的源漏摻雜層還沿第二方向延伸覆蓋部分寬度的介電墻端面。提高了源漏互連結(jié)構(gòu)與源漏摻雜層之間的電連接性能。

本發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括： 襯底，包括器件單元區(qū)； 溝道結(jié)構(gòu)層，位于所述器件單元區(qū)的所述襯底上，所述溝道結(jié)構(gòu)沿第一方向延伸且沿第二方向平行排列，所述第二方向垂直于所述第一方向，在所述器件單元區(qū)中，所述溝道結(jié)構(gòu)層包括第一類溝道結(jié)構(gòu)層和第二類溝道結(jié)構(gòu)層，沿所述第一方向，所述第一類溝道結(jié)構(gòu)層的端部相對于同側(cè)的第二類溝道結(jié)構(gòu)層的端部向內(nèi)縮進(jìn)； 介電墻，位于相鄰所述溝道結(jié)構(gòu)層之間的襯底上，且所述介電墻覆蓋所述溝道結(jié)構(gòu)的相對側(cè)壁； 器件柵極結(jié)構(gòu)，位于所述襯底的頂部且橫跨所述溝道結(jié)構(gòu)層和介電墻，所述器件柵極結(jié)構(gòu)覆蓋所述溝道結(jié)構(gòu)層和介電墻的部分頂部和部分側(cè)壁、以及所述介電墻的部分頂部； 源漏摻雜層，位于所述器件柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的溝道結(jié)構(gòu)層中，且在所述第一類溝道結(jié)構(gòu)層的端部向內(nèi)縮進(jìn)的位置處，所述第二類溝道結(jié)構(gòu)層中的源漏摻雜層還沿所述第二方向延伸覆蓋部分寬度或全部寬度的所述介電墻端面。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司，其通訊地址為：201203 上海市浦東新區(qū)中國（上海）自由貿(mào)易試驗(yàn)區(qū)張江路18號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。