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龍圖騰網獲悉長江存儲科技有限責任公司申請的專利半導體結構及其制備方法、三維存儲器及存儲設備獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114284283B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-19發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111463123.5，技術領域涉及：H10B41/41；該發明授權半導體結構及其制備方法、三維存儲器及存儲設備是由張權;姚蘭;華子群;石艷偉設計研發完成，并于2021-12-02向國家知識產權局提交的專利申請。

本半導體結構及其制備方法、三維存儲器及存儲設備在說明書摘要公布了：本公開提供了一種半導體結構及其制備方法、三維存儲器及存儲設備，涉及半導體芯片技術領域，旨在解決三維存儲器外圍電路的集成度較低問題。所述半導體結構可以劃分為高壓阱區和低壓阱區；半導體結構包括：基底，包括第一凹槽和至少一個第二凹槽，第一凹槽位于高壓阱區，第二凹槽位于低壓阱區；第一隔離結構，設置于第一凹槽內；第一隔離結構的厚度大于第一凹槽的深度；第二隔離結構，設置于第二凹槽內；第二隔離結構的厚度小于第二凹槽的深度；第一柵氧化層，位于高壓阱區；第一柵氧化層設置于基底的表面上，且露出第一隔離結構。上述半導體結構應用于三維存儲器中，以實現數據的讀取和寫入操作。

本發明授權半導體結構及其制備方法、三維存儲器及存儲設備在權利要求書中公布了：1.一種半導體結構，其特征在于，包括：第一阱區和第二阱區；所述第一阱區為高壓阱區；所述第二阱區為低壓阱區；所述低壓阱區包括第一低壓阱區和第二低壓阱區；所述第二低壓阱區設置于所述第一低壓阱區遠離所述高壓阱區一側； 基底，包括第一凹槽和至少一個第二凹槽，所述第一凹槽位于所述第一阱區，所述第二凹槽位于所述第二阱區； 第一隔離結構，設置于所述第一凹槽內；所述第一隔離結構的厚度大于所述第一凹槽的深度； 第二隔離結構，設置于所述第二凹槽內；所述第二隔離結構的厚度小于所述第二凹槽的深度；所述第一低壓阱區和所述第二低壓阱區分別設置有所述第二隔離結構； 第一柵氧化層，位于所述第一阱區；所述第一柵氧化層設置于所述基底的表面上，且露出所述第一隔離結構； 第二柵氧化層，位于所述第一低壓阱區，所述第二柵氧化層設置于所述基底上，且覆蓋所述第二隔離結構； 第三柵氧化層，位于所述第二低壓阱區，所述第三柵氧化層設置于所述基底上，且覆蓋所述第二隔離結構；所述第三柵氧化層與所述第二柵氧化層連接。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人長江存儲科技有限責任公司，其通訊地址為：430000 湖北省武漢市東湖新技術開發區未來三路88號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。