買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標用IPTOP,全免費！專利年費監控用IP管家,真方便！

龍圖騰網獲悉西安電子科技大學申請的專利一種柵控快速離化晶體管及其對稱結構獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114300536B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-19發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111350203.X，技術領域涉及：H10D12/00；該發明授權一種柵控快速離化晶體管及其對稱結構是由湯曉燕;郭登耀;宋慶文;張玉明設計研發完成，并于2021-11-15向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種柵控快速離化晶體管及其對稱結構在說明書摘要公布了：本發明公開了一種柵控快速離化晶體管，自下而上依次包括：陰極金屬、襯底、外延層、陽極金屬以及柵金屬；其中，外延層內部設有第一摻雜區、第二摻雜區、第三摻雜區以及第四摻雜區；其中，第一摻雜區和第二摻雜區相鄰，第三摻雜區位于第二摻雜區內，第四摻雜區位于第三摻雜區內；陽極金屬位于第四摻雜區上方；柵金屬位于第三摻雜區和第一摻雜區之間的外延層上方，且柵金屬與外延層之間還設有柵極和柵介質層。本發明通過柵極控制使器件擊穿電壓下降，器件發生可逆雪崩擊穿產生等離子體器件導通。該設計大大提高了器件輸入阻抗，減小了漏電，降低了觸發信號的要求，同時也減小了觸發信號與工作電流之間的干擾，降低了外圍電路設計的復雜度。

本發明授權一種柵控快速離化晶體管及其對稱結構在權利要求書中公布了：1.一種柵控快速離化晶體管，其特征在于，自下而上依次包括：陰極金屬1、襯底2、外延層3、陽極金屬4以及柵金屬5；其中， 所述外延層3和所述襯底2異型摻雜；所述外延層3內部設有第一摻雜區31、第二摻雜區32、第三摻雜區33以及第四摻雜區34；所述第一摻雜區31、所述第二摻雜區32以及所述第三摻雜區33的摻雜類型相同，所述第四摻雜區34與所述外延層3的摻雜類型相同；所述第一摻雜區31和所述第四摻雜區34為重摻雜區，所述第二摻雜區32為輕摻雜區，所述第三摻雜區33摻雜濃度比第二摻雜區32高； 所述第一摻雜區31起始于所述外延層3的上表面并向下延伸至所述外延層3的內部； 所述第二摻雜區32位于所述第一摻雜區31左側的外延層中3，且與所述第一摻雜區31相鄰，其厚度與所述第一摻雜區31的厚度相同； 所述第三摻雜區33起始于所述第二摻雜區32的左上角并向右下延伸至所述第二摻雜區32內； 所述第四摻雜區34起始于所述第三摻雜區33的左上角并向右下延伸至所述第三摻雜區33內； 所述陽極金屬4位于所述第四摻雜區34上方； 所述柵金屬5位于所述第三摻雜區33和所述第一摻雜區31之間的所述外延層3上方，且所述柵金屬5與所述外延層3之間還設有柵極6和柵介質層7。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人西安電子科技大學，其通訊地址為：710000 陜西省西安市雁塔區太白南路2號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。