杭州鴻星電子有限公司石勝雄獲國(guó)家專利權(quán)
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龍圖騰網(wǎng)獲悉杭州鴻星電子有限公司申請(qǐng)的專利梳狀金屬膜的AT切溫補(bǔ)晶振獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán),本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予,授權(quán)公告號(hào)為:CN114070242B 。
龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-19發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉:該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為:202111303988.5,技術(shù)領(lǐng)域涉及:H03H9/02;該發(fā)明授權(quán)梳狀金屬膜的AT切溫補(bǔ)晶振是由石勝雄;王武江;翁澤宇設(shè)計(jì)研發(fā)完成,并于2021-11-05向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。
本梳狀金屬膜的AT切溫補(bǔ)晶振在說(shuō)明書摘要公布了:梳狀金屬膜的溫補(bǔ)晶振,包括長(zhǎng)方體的石英晶片,石英晶片的上下表面呈矩形,并在上表面有兩個(gè)矩形凸臺(tái);在石英晶片的上下表面鍍有中心電極,中心電極的一角有延伸層;梳狀金屬膜的兩端分別放置在石英晶片的上表面的兩個(gè)矩形凸臺(tái)上,梳狀金屬膜與中心電極脫離;梳狀金屬膜由多根金屬條等間距排列構(gòu)成,多根金屬條關(guān)于y軸對(duì)稱布置,且金屬條的長(zhǎng)度方向與矩形石英晶片的x軸方向一致且中點(diǎn)應(yīng)在z軸上;金屬條的材料的熱膨脹系數(shù)大于石英晶片1的熱膨脹系數(shù)。本發(fā)明的梳狀金屬膜沒(méi)有增加電極區(qū)域的整體質(zhì)量,不會(huì)增加這一區(qū)域的負(fù)載效應(yīng)。且采用梳狀結(jié)構(gòu)能夠減小補(bǔ)償條施加在z方向上的力,從而降低對(duì)晶振工作模態(tài)的影響或者避免出現(xiàn)其它的寄生模態(tài)。
本發(fā)明授權(quán)梳狀金屬膜的AT切溫補(bǔ)晶振在權(quán)利要求書中公布了:1.梳狀金屬膜的溫補(bǔ)晶振,包括石英晶片1,其特征在于:所述的石英晶片1為長(zhǎng)方體,石英晶片1的上下表面呈矩形,并在上表面有兩個(gè)矩形凸臺(tái);在石英晶片1的上、下表面分別鍍有中心電極2,中心電極2的一角有延伸層3,延伸層3的末端連接膠點(diǎn)5,膠點(diǎn)5是中心電極2的引出端;將石英晶片1的上表面的縱軸方向設(shè)為X軸,橫軸方向設(shè)為Z軸,將垂直于石英晶片1的上表面且經(jīng)過(guò)所述的X軸和Z軸的交點(diǎn)的方向設(shè)為Y軸;上、下表面的中心電極2在Y軸方向的投影重合,上、下表面的中心電極2的延伸層3分別偏向X軸的兩側(cè);梳狀金屬膜4沿X軸設(shè)置,梳狀金屬膜4的兩端分別放置在石英晶片1的上表面的兩個(gè)矩形凸臺(tái)上,梳狀金屬膜4與中心電極2脫離;梳狀金屬膜4由多根金屬條等間距排列構(gòu)成,多根金屬條關(guān)于y軸對(duì)稱布置,且金屬條的長(zhǎng)度方向與矩形石英晶片的x軸方向一致且中點(diǎn)應(yīng)在z軸上;所述的金屬條的材料的熱膨脹系數(shù)大于石英晶片1的熱膨脹系數(shù)。
如需購(gòu)買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù),可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)@麢?quán)人杭州鴻星電子有限公司,其通訊地址為:311113 浙江省杭州市余杭區(qū)良渚街道莫干山路2880號(hào);或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服,聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。
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