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龍圖騰網獲悉中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司申請的專利半導體結構及半導體結構的形成方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN116096067B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-19發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111309024.1，技術領域涉及：H10B10/00；該發明授權半導體結構及半導體結構的形成方法是由王楠設計研發完成，并于2021-11-05向國家知識產權局提交的專利申請。

本半導體結構及半導體結構的形成方法在說明書摘要公布了：一種半導體結構及其形成方法，結構包括：襯底，襯底包括若干單元區，單元區包括沿第一方向排列的第一、第二、第三和第四凸立結構，第一凸立結構包括第一區和第二區，第四凸立結構包括第三區和第四區，第一區和第二區的中軸線不重合，第三區和第四區的中軸線不重合；位于襯底上的第一、第二、第三和第四柵極結構，第一柵極結構橫跨第一區、第二凸立結構和第三凸立結構，第二柵極結構橫跨第三區，第三柵極結構橫跨第二區，第四柵極結構橫跨第二凸立結構、第三凸立結構和第四區，第一柵極結構和第二柵極結構在第一方向上的中軸線重合，第三柵極結構和第四柵極結構在第一方向上的中軸線重合。所述半導體結構的面積較小。

本發明授權半導體結構及半導體結構的形成方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體結構，其特征在于，包括： 襯底，所述襯底包括若干單元區，所述單元區包括沿第一方向依次排列的第一凸立結構、第二凸立結構、第三凸立結構和第四凸立結構，所述第一凸立結構、第二凸立結構、第三凸立結構和第四凸立結構平行于第二方向，所述第一方向和第二方向平行于襯底表面，且所述第二方向與第一方向垂直，所述第一凸立結構包括沿第一凸立結構延伸方向排布的第一區和第二區，所述第四凸立結構包括沿第四凸立結構延伸方向排布的第三區和第四區，所述第一區和第二區在第二方向上的中軸線不重合，所述第三區和第四區在第二方向上的中軸線不重合，所述第二區與第二凸立結構之間的間距大于所述第一區與第二凸立結構之間的間距，所述第三區與第三凸立結構之間的間距大于所述第四區與第三凸立結構之間的間距； 位于襯底上平行于第一方向的第一柵極結構、第二柵極結構、第三柵極結構和第四柵極結構，所述第一柵極結構橫跨所述第一區、第二凸立結構和第三凸立結構，所述第二柵極結構橫跨所述第三區，所述第三柵極結構橫跨所述第二區，所述第四柵極結構橫跨所述第二凸立結構、第三凸立結構和第四區，所述第一柵極結構和第二柵極結構在第一方向上的中軸線重合，所述第三柵極結構和第四柵極結構在第一方向上的中軸線重合； 位于襯底上的第一隔離結構和第二隔離結構，所述第一隔離結構位于第一柵極結構和第二柵極結構之間，所述第一隔離結構位于第三區與第三凸立結構之間，所述第二隔離結構位于第三柵極結構和第四柵極結構之間，所述第二隔離結構位于第二區與第二凸立結構之間。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司，其通訊地址為：201203 上海市浦東新區張江路18號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。