聯華電子股份有限公司許惠欣獲國家專利權
買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標用IPTOP,全免費！專利年費監控用IP管家,真方便！
龍圖騰網獲悉聯華電子股份有限公司申請的專利半導體裝置以及其制作方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115394850B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-19發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110570332.3，技術領域涉及：H10D30/60；該發明授權半導體裝置以及其制作方法是由許惠欣;馬煥淇;游建文;周仕旻;何念葶;陳俤彬設計研發完成，并于2021-05-25向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體裝置以及其制作方法在說明書摘要公布了：本發明公開一種半導體裝置以及其制作方法，其中該半導體裝置包括基底與柵極結構。柵極結構設置在基底上，且柵極結構包括氮化鈦阻障層與鈦鋁層。鈦鋁層設置在氮化鈦阻障層上，且鈦鋁層的厚度介于氮化鈦阻障層的厚度的兩倍至氮化鈦阻障層的厚度的三倍之間。
本發明授權半導體裝置以及其制作方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體裝置，包括： 基底；以及 柵極結構，設置在該基底上，其中該柵極結構包括： 氮化鈦阻障層；以及 鈦鋁titaniumaluminide層，設置在該氮化鈦阻障層上，其中該鈦鋁層的厚度介于該氮化鈦阻障層的厚度的兩倍至該氮化鈦阻障層的該厚度的三倍之間， 中間層，設置在該鈦鋁層與該氮化鈦阻障層之間，其中該中間層直接連接該鈦鋁層與該氮化鈦阻障層，且該中間層包括鈦與氮， 其中該中間層的氮濃度在朝向該中間層與該鈦鋁層之間的交界面延伸的垂直方向上逐漸降低， 其中形成該柵極結構的方法包括： 在該氮化鈦阻障層上形成鈦層 在該鈦層上形成鋁層；以及 在形成該鋁層之后進行回流reflow制作工藝，其中該鈦層以及該鋁層的一部分在該回流制作工藝之后被轉變成該鈦鋁層。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人聯華電子股份有限公司，其通訊地址為：中國臺灣新竹市；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
免責聲明
1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
開放平臺
擔保交易
惠及多方
會員特惠
專屬平臺
適合多方
數據共享
功能齊全
皖公網安備 34010402703815號