索泰克公司I·伯特蘭獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉索泰克公司申請的專利制造用于射頻應用的絕緣體上半導體襯底的方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115552592B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-19發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202180034312.2，技術領域涉及：H01L21/762；該發明授權制造用于射頻應用的絕緣體上半導體襯底的方法是由I·伯特蘭;W·施瓦岑貝格;F·阿利伯特設計研發完成，并于2021-05-18向國家知識產權局提交的專利申請。
本制造用于射頻應用的絕緣體上半導體襯底的方法在說明書摘要公布了：本發明涉及一種制造用于射頻應用的絕緣體上半導體襯底的方法，該方法包括以下步驟：?通過在p摻雜的半導體晶種襯底100上外延生長未摻雜的半導體層101來形成供體襯底1；?在未摻雜的外延半導體層101上形成電絕緣層10；?通過電絕緣層10注入離子粒種，以在未摻雜的外延半導體層101中形成限定了待轉移的半導體薄層12的弱化區11；?提供電阻率大于或等于500Ω.cm的半導體載體襯底2；?經由電絕緣層10將供體襯底1結合到載體襯底2；?沿著弱化區11分離供體襯底1，以將半導體薄層12從供體襯底1轉移到載體襯底2。
本發明授權制造用于射頻應用的絕緣體上半導體襯底的方法在權利要求書中公布了：1.一種制造用于射頻應用的絕緣體上半導體襯底的方法，所述方法包括以下步驟： -通過在p摻雜的半導體晶種襯底100上外延生長未摻雜的半導體層101來形成供體襯底1； -在未摻雜的外延半導體層101上形成電絕緣層10； -通過所述電絕緣層10注入離子粒種，以在所述未摻雜的外延半導體層101中形成限定了待轉移的半導體薄層12的弱化區11； -提供電阻率大于或等于500Ω.cm的半導體載體襯底2； -經由所述電絕緣層10將所述供體襯底1結合到所述載體襯底2； -沿著所述弱化區11分離所述供體襯底1，以將所述半導體薄層12從所述供體襯底1轉移到所述載體襯底2，其中，在所制造的絕緣體上半導體襯底中，通過所述半導體薄層12和所述電絕緣層10避免了摻雜劑從所述供體襯底1擴散到所述載體襯底2中，使得所述載體襯底2的所述電阻率不受影響。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人索泰克公司，其通訊地址為：法國伯爾寧；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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