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龍圖騰網獲悉浙江馳拓科技有限公司申請的專利存算一體的磁性存儲單元獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115116507B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-19發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110284592.4，技術領域涉及：G11C11/02；該發明授權存算一體的磁性存儲單元是由石以諾;遲克群;李州;馮向;孟皓設計研發完成，并于2021-03-17向國家知識產權局提交的專利申請。

本存算一體的磁性存儲單元在說明書摘要公布了：本發明提供一種存算一體的磁性存儲單元，包括：重金屬層、位于重金屬層表面的磁性隧道結以及磁性隧道結表面的電極，磁性隧道結包括：依次層疊設置的自由層、勢壘層和參考層，所述自由層與所述重金屬層相鄰設置，所述重金屬層與所述自由層之間的相互作用為自旋軌道矩及DMI效應；所述重金屬層具有至少三個通電端口，包括兩個輸入端和一個控制端，兩個所述輸入端和所述控制端的狀態共同決定所述重金屬層電流方向，以進一步決定所述磁性隧道結的阻態信息。本發明能夠充分利用SOT?MRAM的物理特性進行存內計算。

本發明授權存算一體的磁性存儲單元在權利要求書中公布了：1.一種存算一體的磁性存儲單元，其特征在于，包括： 重金屬層； 位于所述重金屬層表面的磁性隧道結，所述磁性隧道結包括：依次層疊設置的自由層、勢壘層和參考層，所述自由層與所述重金屬層相鄰設置，所述重金屬層與所述自由層之間的相互作用為自旋軌道矩及DMI效應，所述磁性隧道結的磁各向異性為垂直磁各向異性； 電極，所述電極位于所述參考層的表面； 其中，所述重金屬層具有至少三個通電端口，包括兩個輸入端和一個控制端，所述重金屬層的截面形狀為Y形，兩個所述輸入端和所述控制端分別位于Y形的所述重金屬層的三端，兩個所述輸入端和所述控制端的狀態共同決定所述重金屬層電流方向，以進一步決定所述磁性隧道結的阻態信息； 當所述控制端開路，所述重金屬層電流從一個輸入端流向另一個輸入端時，若電流方向為順時針，則所述磁性隧道結為低阻態；若電流方向為逆時針，則所述磁性隧道結為高阻態； 當所述重金屬層電流從三端中的任意兩端流向另外一端時，所述磁性隧道結的阻態發生變化； 當所述重金屬層電流從三端中的任意一端流向另外兩端時，所述磁性隧道結的阻態保持不變； 所述電極具有一個讀取端，當讀取所述磁性隧道結的阻態信息時，所述讀取端輸入讀電壓。

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