晶呈科技股份有限公司劉埃森獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉晶呈科技股份有限公司申請的專利發光二極管封裝結構及其制作方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114975390B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-19發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110275612.1，技術領域涉及：H01L25/075；該發明授權發光二極管封裝結構及其制作方法是由劉埃森;馮祥銨;鐘承育;涂家瑋;陳亞理設計研發完成，并于2021-03-15向國家知識產權局提交的專利申請。
本發光二極管封裝結構及其制作方法在說明書摘要公布了：本發明公開一種發光二極管封裝結構及其制作方法，首先，提供一半導體晶圓，半導體晶圓具有復數個半導體基板。接著，貫穿每一半導體基板，以形成第一通孔與第二通孔。先形成一絕緣層于每一半導體基板的表面及第一通孔與第二通孔的內壁，再形成圖案化電極層于半導體基板的表面。形成覆蓋絕緣層的導電結構于第一通孔與第二通孔中，并電性連接導電結構與圖案化電極層。形成發光二極管于每一半導體基板的第二通孔中，并分別電性連接所有發光二極管與第二通孔中的導電結構。最后，分離所有半導體基板，以提升合格率與簡化結構。
本發明授權發光二極管封裝結構及其制作方法在權利要求書中公布了：1.一種發光二極管封裝結構，其特征在于，所述發光二極管封裝結構包括： 一半導體基板，具有貫穿自身的一個第一通孔與三個第二通孔，每一所述第二通孔包括互相連通的一第一子通孔與一第二子通孔，其中所述第一子通孔與所述第二子通孔分別靠近所述半導體基板的頂面與底面，所述第一子通孔的截面積大于所述第二子通孔的截面積； 一絕緣層，設于所述半導體基板的表面及所述第一通孔、所述第一子通孔與所述第二子通孔的內壁，所述第一通孔與所述第二子通孔填滿有覆蓋所述絕緣層的導電結構； 一第一圖案化電極層，設于所述半導體基板的所述頂面，并電性連接所述導電結構； 一第二圖案化電極層，設于所述半導體基板的所述底面，并電性連接所述第一通孔與所述第二子通孔中的所述導電結構；以及 三個發光二極管，分別設于所述三個第二通孔的所述第一子通孔中，并分別電性連接所述第二子通孔中的所述導電結構。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人晶呈科技股份有限公司，其通訊地址為：中國臺灣苗栗縣竹南鎮大埔里公義路462巷58號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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