中芯國際集成電路制造(北京)有限公司;中芯國際集成電路制造(上海)有限公司王錦喆獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉中芯國際集成電路制造(北京)有限公司;中芯國際集成電路制造(上海)有限公司申請的專利一種半導體結構獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114823490B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-19發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110113838.1，技術領域涉及：H01L21/768；該發明授權一種半導體結構是由王錦喆設計研發完成，并于2021-01-27向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種半導體結構在說明書摘要公布了：本申請提供一種半導體結構，包括：半導體襯底；硅通孔結構，位于所述半導體襯底中，所述硅通孔結構具有第一側；至少一個第一電容溝槽單元，豎直分布于所述第一側的半導體襯底中，所述第一電容溝槽單元包括若干平行電容溝槽組和若干傾斜電容溝槽組，其中，與所述硅通孔結構相對的電容溝槽組為傾斜電容溝槽組。本申請技術方案的半導體結構能夠解決制作過程中TSV處的局部應力問題，實現2.5DInterposer中DTC和TSV的集成制造。
本發明授權一種半導體結構在權利要求書中公布了：1.一種半導體結構，其特征在于，包括： 半導體襯底； 硅通孔結構，位于所述半導體襯底中，所述硅通孔結構具有第一側； 至少一個第一電容溝槽單元，豎直分布于所述第一側的半導體襯底中，所述第一電容溝槽單元包括若干平行電容溝槽組和若干傾斜電容溝槽組，其中，與所述硅通孔結構相對的電容溝槽組為傾斜電容溝槽組，所述平行電容溝槽組包括若干沿第一方向平行分布的第一電容溝槽，所述傾斜電容溝槽組包括若干沿第二方向平行分布的第二電容溝槽，且所述第一方向和所述第二方向所在直線之間的銳夾角為大于0°且小于90°。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中芯國際集成電路制造(北京)有限公司;中芯國際集成電路制造(上海)有限公司，其通訊地址為：100176 北京市大興區文昌大道18號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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