欣興電子股份有限公司楊凱銘獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉欣興電子股份有限公司申請的專利封裝結構及其制造方法獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN114334912B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-19發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202011047601.X,技術領域涉及:H01L23/552;該發明授權封裝結構及其制造方法是由楊凱銘;彭家瑜;劉漢誠設計研發完成,并于2020-09-29向國家知識產權局提交的專利申請。
本封裝結構及其制造方法在說明書摘要公布了:一種封裝結構及其制造方法,包括芯片、重布線路結構、成型模料結構以及電磁干擾遮蔽結構。所述重布線路結構設置在所述芯片上并形成電性連接。所述成型模料結構環繞所述芯片以及所述重布線路結構的外圍設置。所述電磁干擾遮蔽結構環繞所述成型模料結構的外圍設置。通過所述成型模料結構環繞所述芯片以及所述重布線路結構的外圍設置,以提供對結構的多面保護及強化。通過所述電磁干擾遮蔽結構環繞所述成型模料結構的外圍設置,以提供對所述芯片以及所述重布線路結構的多面電磁干擾防護。借此達到提升結構強度以及使用可靠性、穩定性的目的。
本發明授權封裝結構及其制造方法在權利要求書中公布了:1.一種封裝結構,其特征在于,所述封裝結構包括: 芯片,包括第一底面以及多個第一外側面; 重布線路結構,設置在所述芯片上并形成電性連接,所述重布線路結構包括相對的第二頂面及第二底面以及連接所述第二頂面與所述第二底面的多個第二外側面,所述多個第一外側面對應所述多個第二外側面; 成型模料結構,設置在所述芯片以及所述重布線路結構的外圍; 電磁干擾遮蔽結構,設置在所述成型模料結構的外圍; 其中所述成型模料結構包括: 第一成型模料層,設置在所述芯片的所述多個第一外側面以及所述重布線路結構的所述多個第二外側面上; 第二成型模料層,設置在述芯片的所述第一底面上,且與所述第一成型模料層相連接; 其中,所述電磁干擾遮蔽結構包括第一電磁干擾遮蔽層,設置在所述第一成型模料層的多個外側面、所述第二成型模料層的多個外側面以及底面,所述第二成型模料層設置多個凹槽或貫穿所述第二成型模料層的多個開孔,其中所述多個凹槽或所述多個開孔對應所述芯片的所述第一底面。
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