中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司周飛獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司申請的專利半導體結構及其形成方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114188413B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-19發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202010965138.0，技術領域涉及：H10D30/62；該發明授權半導體結構及其形成方法是由周飛設計研發完成，并于2020-09-15向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體結構及其形成方法在說明書摘要公布了：一種半導體結構及其形成方法，半導體結構包括：基底，所述基底包括襯底以及凸出于所述襯底的鰭部；溝道結構層，位于所述鰭部上且與所述鰭部間隔設置，所述溝道結構層包括一個或多個間隔設置的溝道層；器件柵極結構，橫跨所述鰭部和溝道結構層且包圍所述溝道層；源漏摻雜層，位于所述器件柵極結構兩側的溝道結構層和鰭部中；層間介質層，位于所述源漏摻雜層的頂部，且覆蓋所述器件柵極結構的側壁。所述源漏摻雜層還位于鰭部中，從而增大了源漏摻雜層的體積，相應增加了源漏摻雜層產生的溝道應力，進而提高半導體結構的電學性能。
本發明授權半導體結構及其形成方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體結構，其特征在于，包括： 基底，所述基底包括襯底以及凸出于所述襯底的鰭部； 溝道結構層，位于所述鰭部上且與所述鰭部間隔設置，所述溝道結構層包括一個或多個間隔設置的溝道層； 器件柵極結構，橫跨所述鰭部和溝道結構層且包圍所述溝道層； 源漏摻雜層，位于所述器件柵極結構兩側的溝道結構層和鰭部中，所述源漏摻雜層包括：第一源漏摻雜層，位于所述器件柵極結構兩側的所述溝道結構層中；第二源漏摻雜層，位于所述第一源漏摻雜層底部的所述鰭部中，沿平行于所述襯底且與所述器件柵極結構的延伸方向相垂直的方向上，所述第二源漏摻雜層的側壁相對于所述第一源漏摻雜層的側壁向內縮進，且所述第一源漏摻雜層的底面寬度大于第二源漏摻雜層的頂面寬度； 層間介質層，位于所述源漏摻雜層的頂部，且覆蓋所述器件柵極結構的側壁。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司，其通訊地址為：201203 上海市浦東新區中國（上海）自由貿易試驗區張江路18號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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