臺灣積體電路制造股份有限公司李欣怡獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉臺灣積體電路制造股份有限公司申請的專利半導體器件和制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN113270403B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-19發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202010894273.0，技術領域涉及：H10D84/85；該發明授權半導體器件和制造方法是由李欣怡;洪正隆;陳智城;張文;徐志安設計研發完成，并于2020-08-31向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體器件和制造方法在說明書摘要公布了：本公開涉及半導體器件和制造方法。公開了一種具有不同柵極結構配置的半導體器件及其制造方法。該半導體器件包括：設置在襯底上的鰭結構；設置在所述鰭結構上的納米結構溝道區域；以及柵極環繞式GAA結構，圍繞所述納米結構溝道區域。所述GAA結構包括：具有金屬摻雜區域的高KHK柵極電介質層，所述金屬摻雜區域具有第一金屬材料的摻雜劑；設置在所述HK柵極電介質層上的p型功函數金屬pWFM層；插入在所述HK柵極電介質層和所述pWFM層之間的雙金屬氮化物層；設置在所述pWFM層上的n型功函數金屬nWFM層；以及設置在所述nWFM層上的柵極金屬填充層。所述pWFM層包括第二金屬材料，并且所述雙金屬氮化物層包括所述第一金屬材料和所述第二金屬材料。
本發明授權半導體器件和制造方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體器件，包括： 襯底； 設置在所述襯底上的鰭結構； 設置在所述鰭結構上的納米結構溝道區域；以及 柵極環繞式GAA結構，圍繞所述納米結構溝道區域，其中，所述GAA結構包括： 具有金屬摻雜區域的高KHK柵極電介質層，所述金屬摻雜區域具有第一金屬材料的摻雜劑； 設置在所述HK柵極電介質層上的第一WFM層，其中，所述第一WFM層包括第二金屬材料； 插入在所述HK柵極電介質層和所述第一WFM層之間的雙金屬氮化物層，其中，所述雙金屬氮化物層包括所述第一金屬材料和所述第二金屬材料，并且其中，所述雙金屬氮化物層中的第一金屬材料的濃度分布具有從所述雙金屬氮化物層的底表面到所述雙金屬氮化物層的頂表面的遞減斜率； 設置在所述第一WFM層上的第二WFM層；以及 設置在所述第二WFM層上的柵極金屬填充層。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人臺灣積體電路制造股份有限公司，其通訊地址為：中國臺灣新竹市；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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