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龍圖騰網(wǎng)獲悉佛山市國星半導(dǎo)體技術(shù)有限公司申請的專利一種Mini/micro LED的外延量子阱及其制作方法、外延結(jié)構(gòu)獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN111834500B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-19發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202010679488.0，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10H20/812；該發(fā)明授權(quán)一種Mini/micro LED的外延量子阱及其制作方法、外延結(jié)構(gòu)是由仇美懿;莊家銘設(shè)計研發(fā)完成，并于2020-07-15向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種Mini/micro LED的外延量子阱及其制作方法、外延結(jié)構(gòu)在說明書摘要公布了：本發(fā)明公開了一種MinimicroLED的外延量子阱及其制作方法、外延結(jié)構(gòu)，其中，所述外延量子阱包括阱層、包覆層和阻擋層，所述阱層由InxGa1?xN制成，所述包覆層由GaN制成，所述阻擋層由摻雜了Si的GaN制成，X＝0.30～0.40，所述阱層的厚度為1.5～2.0nm。本發(fā)明通過調(diào)整量子阱的結(jié)構(gòu)，增加阱層In的含量，減少阱層的厚度，同時設(shè)置包覆層和阻擋層，由此來降低壓電效應(yīng)的影響，進(jìn)而減少外延層的半波寬Hw、標(biāo)準(zhǔn)差Stdv。

本發(fā)明授權(quán)一種Mini/micro LED的外延量子阱及其制作方法、外延結(jié)構(gòu)在權(quán)利要求書中公布了：1.一種MinimicroLED的外延量子阱，其特征在于，包括依次層疊的阱層、包覆層和阻擋層，所述阱層由InxGa1-xN制成，所述包覆層包括第一包覆層和第二包覆層，所述第一包覆層設(shè)置在阱層和第二包覆層之間，所述第一包覆層和第二包覆層均由GaN制成，所述阻擋層由摻雜了Si的GaN制成，其中，X=0.30~0.40，所述阱層的厚度為1.5~2.0nm； 所述第一包覆層采用下述方法制得：在溫度為650~750℃，壓力為450~550mBar的條件下，通入TEGa、NH3、N2和H2氣體，流量分別為130~190sccm、80~160sccm、40~70sccm、3~6sccm，形成厚度為0.5~1nm的第一包覆層； 所述第二包覆層采用下述方法制得：在溫度為750~850℃，壓力為450~550mBar的條件下，通入TEGa、NH3、N2和H2氣體，流量分別為130~190sccm、80~160sccm、40~70sccm、3~6sccm，形成厚度為0.5~1nm的第二包覆層； 其中，第一包覆層的形成溫度小于第二包覆層的形成溫度，且形成第一包覆層之后，形成第二包覆層之前，中間停頓30~180秒。

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