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龍圖騰網獲悉博衍科技(珠海)有限公司;梧州學院申請的專利基于碳化硅芯片散熱結構設計的仿真數據集構建方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN120317082B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-22發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510804882.5，技術領域涉及：G06F30/23；該發明授權基于碳化硅芯片散熱結構設計的仿真數據集構建方法是由岑彩純;梁延研;鄒鋆弢;陳明朗;郭慧;于健海;趙英麗設計研發完成，并于2025-06-17向國家知識產權局提交的專利申請。

本基于碳化硅芯片散熱結構設計的仿真數據集構建方法在說明書摘要公布了：本發明公開了基于碳化硅芯片散熱結構設計的仿真數據集構建方法，具體涉及芯片散熱技術領域，首先通構建散熱結構設計數據庫，采集散熱結構設計仿真所需的數據，確定各類參數組合和相應的實驗數據，然后通過構建的碳化硅芯片散熱結構的仿真模型，構建多維度仿真數據集并進行處理，其次根據處理通過的仿真數據集構建散熱結構設計仿真數據集，同時將處理異常結果反饋至人機端進行分析評估，根據評估異常結果進行人機交互；本發明基于數據集進行數據分析和挖掘，可以發現散熱結構設計過程中產生的數據與熱性能之間的內在關系，幫助設計管理員制定更科學的優化策略，提高散熱結構的散熱效率和性能穩定性。

本發明授權基于碳化硅芯片散熱結構設計的仿真數據集構建方法在權利要求書中公布了：1.基于碳化硅芯片散熱結構設計的仿真數據集構建方法，其特征在于：包括： S1：通過大數據技術，收集、存儲和更新碳化硅芯片散熱過程中的影響因素，并接收碳化硅芯片散熱結構設計中產生的數據，構建散熱結構設計數據庫； S2：基于S1得到的散熱結構設計數據庫，采集散熱結構設計仿真所需的數據，確定構建仿真數據集的各類參數組合和相應的實驗數據； S3：通過仿真模型構建技術，基于S2中得到的散熱結構設計第一文本和散熱結構設計第二文本，構建碳化硅芯片散熱結構的仿真模型； S4：將S2得到的各類參數組合輸入至S3得到的碳化硅芯片散熱結構的仿真模型中，構建多維度仿真數據集，包括芯片幾何參數與散熱性能數據集、散熱結構參數與散熱效率數據集、材料特性與熱界面性能數據集以及工作條件與動態散熱響應數據集； 所述S4中構建散熱結構參數與散熱效率數據集：首先將散熱結構參數組合輸入至碳化硅芯片散熱結構的仿真模型中，通過大數據分析技術，得到散熱結構參數與散熱效率η的映射關系模型： ηfin表示鰭片效率，a2表示對流換熱系數，tanh是雙曲正切函數，Hfm表示鰭片高度，Sfm表示鰭片間距，Sopt表示鰭片最優間距，th表示鰭片厚度，λfin表示鰭片材料熱導率，N表示鰭片數量；然后得到由散熱結構參數組合和相對應的散熱效率組成的散熱結構參數與散熱效率數據集； S5：通過大數據處理技術，對S4得到的多維度仿真數據集進行處理，得到數據處理后的散熱結構設計仿真數據集，包括處理通過結果和處理異常結果，并將處理異常結果反饋至設計管理員； S6：通過大數據分析技術，對處理異常結果進行評估，根據異常評估結果反饋至設計管理員，進行人機交互。

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