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龍圖騰網(wǎng)獲悉華燦光電(浙江)有限公司申請的專利功率半導(dǎo)體器件及其制備方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN115394894B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-22發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202210812168.7，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10H20/831；該發(fā)明授權(quán)功率半導(dǎo)體器件及其制備方法是由王群;龔逸品;陳張笑雄;王江波設(shè)計研發(fā)完成，并于2022-07-11向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本功率半導(dǎo)體器件及其制備方法在說明書摘要公布了：本公開提供了一種功率半導(dǎo)體器件及其制備方法，屬于光電子制造技術(shù)領(lǐng)域。該功率半導(dǎo)體器件包括外延片、陽電極和陰電極；外延片包括襯底和依次形成在襯底上的緩沖層、U?GaN層、AlGaN層、GaN帽層和SiN保護(hù)層；陽電極和陰電極相互間隔，陽電極的第一端依次貫穿SiN保護(hù)層和GaN帽層并插接在AlGaN層內(nèi)，陽電極朝向陰電極的一側(cè)相對于AlGaN層傾斜；陰電極的第一端依次貫穿SiN保護(hù)層和GaN帽層并插接在AlGaN層內(nèi)，陰電極朝向陽電極的一側(cè)相對于AlGaN層傾斜。本公開能夠改善電場分布，有助于提高功率半導(dǎo)體器件的高溫可靠性。

本發(fā)明授權(quán)功率半導(dǎo)體器件及其制備方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種功率半導(dǎo)體器件，其特征在于，包括外延片10、陽電極20和陰電極30； 所述外延片10包括襯底110和依次形成在所述襯底110上的緩沖層120、U-GaN層130、AlGaN層140、GaN帽層150和SiN保護(hù)層160； 所述陽電極20和所述陰電極30相互間隔，所述陽電極20的第一端依次貫穿所述SiN保護(hù)層160和所述GaN帽層150并插接在所述AlGaN層140內(nèi)，所述陽電極20朝向所述陰電極30的一側(cè)相對于所述AlGaN層140傾斜，在所述陽電極20的第一端至第二端的方向上，所述陽電極20朝向所述陰電極30的一側(cè)，朝向所述陰電極30傾斜，所述陽電極20的縱剖面為直角梯形，所述直角梯形的上底為所述陽電極20的第一端，所述直角梯形的下底為所述陽電極20的第二端，所述直角梯形的高背離所述陰電極30，且垂直于所述AlGaN層140，所述直角梯形的斜腰靠近所述陰電極30，且傾斜于所述AlGaN層140，所述直角梯形的斜腰為所述陽電極20傾斜的一側(cè)； 所述陰電極30的第一端依次貫穿所述SiN保護(hù)層160和所述GaN帽層150并插接在所述AlGaN層140內(nèi)，所述陰電極30朝向所述陽電極20的一側(cè)相對于所述AlGaN層140傾斜，在所述陰電極30的第二端至第一端的方向上，所述陰電極30朝向所述陽電極20的一側(cè)，背離所述陽電極20傾斜，所述陰電極30的縱剖面為直角梯形，所述直角梯形的上底為所述陰電極30的第二端，所述直角梯形的下底為所述陰電極30的第一端，所述直角梯形的高背離所述陽電極20，且垂直于所述AlGaN層140，所述直角梯形的斜腰靠近所述陽電極20，且傾斜于所述AlGaN層140，所述直角梯形的斜腰為所述陰電極30傾斜的一側(cè)； 所述陽電極20朝向所述陰電極30傾斜的一側(cè)，與所述陰電極30朝向所述陽電極20傾斜的一側(cè)相互平行。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人華燦光電(浙江)有限公司，其通訊地址為：322000 浙江省金華市義烏市蘇溪鎮(zhèn)蘇福路233號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。