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龍圖騰網獲悉江西兆馳半導體有限公司申請的專利正裝LED芯片及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114709301B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-22發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210279143.5，技術領域涉及：H10H20/01；該發明授權正裝LED芯片及其制備方法是由張柯;張星星;簡弘安;胡加輝;金從龍設計研發完成，并于2022-03-21向國家知識產權局提交的專利申請。

本正裝LED芯片及其制備方法在說明書摘要公布了：本發明提出一種正裝LED芯片及其制備方法，該方法包括：在所述藍寶石襯底上生長有未摻雜半導體層和第二型半導體層；在第二型半導體層上沉積透明導電層，使用激光將藍寶石襯底剝離脫落；采用干法刻蝕，以從未摻雜半導體層刻蝕至透明導電層；在未摻雜半導體層上依次沉積SiO2層、反射層、阻擋層以及共晶鍵合層；獲取一氮化鋁基板，并在氮化鋁基板上沉積共晶鍵合層；將SiO2層上的共晶鍵合層與氮化鋁基板上的共晶鍵合層鍵合。根據本發明提出的正裝LED芯片的制備方法，使用襯底剝離工藝以釋放外延晶格應力，有效提升外延層內量子效率，同時采用散熱性能優良的氮化鋁基板，便于芯片工作中散熱，提升芯片在大電流下的運行可靠性。

本發明授權正裝LED芯片及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種正裝LED芯片的制備方法，其特征在于，所述方法包括： 獲取一藍寶石襯底，并在所述藍寶石襯底上依次生長未摻雜半導體層，第一型半導體層，有源層，第二型半導體層； 接著在所述第二型半導體層上沉積透明導電層，并使用激光穿透所述藍寶石襯底與所述未摻雜半導體層的交界處，以使藍寶石襯底脫落，包括： 在所述第二型半導體層上沉積透明導電層，在所述透明導電層表面沉積SiO2層， 提供一硅片，將硅片與沉積在透明導電層上的SiO2層鍵合， 使用激光穿透所述藍寶石襯底與所述未摻雜半導體層的交界處，以使藍寶石襯底脫落， 將剝離藍寶石襯底后的結構置于稀鹽酸溶液中浸泡10-15min， 采用化學機械拋光技術將對剝離藍寶石襯底后裸露出的未摻雜半導體層表面進行拋光； 接著采用干法刻蝕，以從所述未摻雜半導體層刻蝕至所述透明導電層； 接著在所述未摻雜半導體層上依次沉積SiO2層、反射層、阻擋層以及共晶鍵合層； 接著獲取一氮化鋁基板，并在所述氮化鋁基板上沉積共晶鍵合層； 接著將SiO2層上的共晶鍵合層與氮化鋁基板上的共晶鍵合層鍵合； 研磨以去除鍵合的硅片，裸露出沉積在透明導電層上的SiO2層； 接著使用BOE溶液腐蝕去除裸露在芯片表面的SiO2層，并對第二型半導體表面進行干法刻蝕，直至裸露出第一型半導體； 接著在第一型半導體表面蒸鍍第一電極，在透明導電層表面蒸鍍第二電極； 接著在芯片表面沉積鈍化層，以保護芯片表面及側壁，并使用黃光圖形化以裸露出第一電極與第二電極。

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