華進半導體封裝先導技術研發中心有限公司;上海先方半導體有限公司何慧敏獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉華進半導體封裝先導技術研發中心有限公司;上海先方半導體有限公司申請的專利一種半導體封裝結構及制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114361153B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-22發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210003371.X，技術領域涉及：H10D80/30；該發明授權一種半導體封裝結構及制備方法是由何慧敏設計研發完成，并于2022-01-04向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種半導體封裝結構及制備方法在說明書摘要公布了：本發明提供一種半導體封裝結構及制備方法。所述半導體封裝結構包括：第二重布線結構；第一功能芯片和供壓芯片，供壓芯片倒裝在第二重布線結構上，第一功能芯片正裝在供壓芯片背離第二重布線結構的一側；位于第二重布線結構一側且覆蓋第一功能芯片和供壓芯片的第一塑封層；位于第一功能芯片和供壓芯片的側部的第一導電連接件；位于第一塑封層背離第二重布線結構一側的第一重布線結構，第一重布線結構與第一功能芯片的正面電連接，第一導電連接件與第一重布線結構和第二重布線結構電連接；倒裝于第一重布線結構背離第二重布線結構一側且與第一重布線結構電連接的第二功能芯片。本發明的半導體封裝結構集成密度高，傳輸帶寬大。
本發明授權一種半導體封裝結構及制備方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體封裝結構，其特征在于，包括： 第二重布線結構； 位于所述第二重布線結構一側的第一功能芯片和供壓芯片，所述供壓芯片倒裝在所述第二重布線結構一側，所述第一功能芯片正裝在所述供壓芯片背離所述第二重布線結構的一側； 位于所述第二重布線結構一側且覆蓋所述第一功能芯片的側壁和所述供壓芯片的側壁的第一塑封層； 位于所述第一功能芯片和所述供壓芯片的側部且貫穿所述第一塑封層的第一導電連接件； 位于所述第一塑封層背離所述第二重布線結構一側的第一重布線結構，所述第一重布線結構與所述第一功能芯片的正面電連接，所述第一導電連接件與所述第一重布線結構和所述第二重布線結構電連接； 倒裝于所述第一重布線結構背離所述第二重布線結構一側且與所述第一重布線結構電連接的第二功能芯片。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人華進半導體封裝先導技術研發中心有限公司;上海先方半導體有限公司，其通訊地址為：214135 江蘇省無錫市新吳區菱湖大道200號傳感網國際創新園D1棟；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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