通富微電子股份有限公司陶玉娟獲國家專利權(quán)
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龍圖騰網(wǎng)獲悉通富微電子股份有限公司申請的專利扇出型封裝器件獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán),本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予,授權(quán)公告號為:CN114530426B 。
龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-22發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉:該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為:202111671820.X,技術(shù)領(lǐng)域涉及:H01L23/31;該發(fā)明授權(quán)扇出型封裝器件是由陶玉娟設(shè)計研發(fā)完成,并于2021-12-31向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。
本扇出型封裝器件在說明書摘要公布了:本申請公開了一種扇出型封裝器件,該器件包括:第一芯片;多個阻擋件,圍設(shè)在所述第一芯片的外圍;多個導(dǎo)電柱,圍設(shè)在所述多個阻擋件的外圍;其中,所述導(dǎo)電柱的高度大于所述阻擋件的高度;塑封層,至少覆蓋所述第一芯片、所述阻擋件和所述導(dǎo)電柱的側(cè)面外圍,所述第一芯片、所述阻擋件和所述導(dǎo)電柱通過所述塑封層形成整體結(jié)構(gòu)。通過上述器件,本申請能夠降低扇出型封裝器件中芯片的翹曲概率。
本發(fā)明授權(quán)扇出型封裝器件在權(quán)利要求書中公布了:1.一種扇出型封裝器件,其特征在于,包括: 第一芯片; 多個阻擋件,圍設(shè)在所述第一芯片的外圍; 多個導(dǎo)電柱,圍設(shè)在所述多個阻擋件的外圍;其中,所述導(dǎo)電柱的高度大于所述阻擋件的高度; 塑封層,至少覆蓋所述第一芯片、所述阻擋件和所述導(dǎo)電柱的側(cè)面外圍,所述第一芯片、所述阻擋件和所述導(dǎo)電柱通過所述塑封層形成整體結(jié)構(gòu); 其中,所述阻擋件具有導(dǎo)電性能,且所述阻擋件和所述導(dǎo)電柱由同種材料形成; 其中,所述第一芯片包括相背設(shè)置的第一功能面和第一非功能面,所述導(dǎo)電柱、所述阻擋件和所述塑封層與所述第一非功能面齊平設(shè)置,所述第一功能面位于所述塑封層內(nèi);所述扇出型封裝器件還包括:至少一個第二芯片,包括相背設(shè)置的第二功能面和第二非功能面;所述第二功能面朝向所述第一功能面,所述第二功能面橫跨所述第一功能面的至少部分、以及與所述第一功能面的至少部分鄰近的至少部分所述阻擋件,且所述第二功能面上的第二焊盤與對應(yīng)位置處的所述第一功能面上的第一焊盤和所述阻擋件電連接; 其中,所述的扇出型封裝器件,還包括:第一再布線層,位于所述塑封層鄰近所述第一非功能面一側(cè)表面;其中,所述第一再布線層至少與所述第一芯片和所述導(dǎo)電柱的一端電連接;第二再布線層,位于所述塑封層鄰近所述第一功能面一側(cè)表面;其中,所述第二再布線層與所述導(dǎo)電柱的另一端電連接。
如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù),可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)@麢?quán)人通富微電子股份有限公司,其通訊地址為:226000 江蘇省南通市崇川路288號;或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服,聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。
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