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龍圖騰網(wǎng)獲悉株式會社國際電氣申請的專利清潔方法、半導體器件的制造方法、襯底處理裝置及記錄介質(zhì)獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN114121714B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-22發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202110650848.9，技術(shù)領域涉及：H01L21/67；該發(fā)明授權(quán)清潔方法、半導體器件的制造方法、襯底處理裝置及記錄介質(zhì)是由西田圭吾;石黑謙一;尾崎貴志設計研發(fā)完成，并于2021-06-10向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本清潔方法、半導體器件的制造方法、襯底處理裝置及記錄介質(zhì)在說明書摘要公布了：本申請涉及清潔方法、半導體器件的制造方法、襯底處理裝置及記錄介質(zhì)。提高處理容器內(nèi)的清潔效果。具有通過將包含下述工序的循環(huán)在第1溫度下進行規(guī)定次數(shù)從而將附著于處理容器內(nèi)的物質(zhì)除去的工序：a向進行針對襯底的處理后的處理容器內(nèi)供給含氮及氫氣體和含氟氣體中的一種氣體的工序；和b向殘留有一種氣體的狀態(tài)的處理容器內(nèi)供給含氮及氫氣體和含氟氣體中的與一種氣體不同的另一種氣體的工序。

本發(fā)明授權(quán)清潔方法、半導體器件的制造方法、襯底處理裝置及記錄介質(zhì)在權(quán)利要求書中公布了：1.清潔方法，其為處理容器內(nèi)的清潔方法，具有通過將包含下述工序的循環(huán)在第1溫度下進行規(guī)定次數(shù)從而將附著于所述處理容器內(nèi)的物質(zhì)除去的工序： a向進行針對襯底的處理后的所述處理容器內(nèi)供給含氮及氫氣體和含氟氣體中的一種氣體的工序；和 b向殘留有所述一種氣體的狀態(tài)的所述處理容器內(nèi)供給所述含氮及氫氣體和所述含氟氣體中的與所述一種氣體不同的另一種氣體的工序， 其中，b具有下述工序： b1在使所述處理容器內(nèi)的排氣停止的狀態(tài)下，向所述處理容器內(nèi)供給所述另一種氣體的工序；和 b2在對所述處理容器內(nèi)實施排氣的狀態(tài)下，向所述處理容器內(nèi)供給所述另一種氣體的工序。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人株式會社國際電氣，其通訊地址為：日本東京都；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。