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龍圖騰網獲悉愛思開海力士有限公司申請的專利包括層疊的半導體芯片的半導體封裝獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN113990828B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-22發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110067203.2，技術領域涉及：H01L23/488；該發明授權包括層疊的半導體芯片的半導體封裝是由嚴柱日;李承燁設計研發完成，并于2021-01-19向國家知識產權局提交的專利申請。

本包括層疊的半導體芯片的半導體封裝在說明書摘要公布了：本申請公開了包括層疊的半導體芯片的半導體封裝。一種半導體封裝包括：基板；設置在基板上方的子半導體封裝，該子半導體封裝包括子半導體芯片、子模制層和重分布導電層，在子半導體芯片的面向基板的有效表面上具有芯片焊盤，子模制層圍繞子半導體芯片的側表面，子模制層具有面向基板的表面，重分布導電層連接到芯片焊盤并在子模制層的所述表面下方延伸；信號子互連器，其具有連接到信號重分布焊盤的上表面以及連接到基板的下表面；電源子互連器，其具有連接到電源重分布焊盤的上表面以及連接到基板的下表面；以及形成在子半導體封裝上方并電連接到基板的至少一個主半導體芯片。

本發明授權包括層疊的半導體芯片的半導體封裝在權利要求書中公布了：1.一種半導體封裝，該半導體封裝包括： 基板； 設置在所述基板上方的子半導體封裝，該子半導體封裝包括子半導體芯片、子模制層和重分布導電層，在所述子半導體芯片的面向所述基板的有效表面上具有芯片焊盤，所述子模制層圍繞所述子半導體芯片的側表面，所述子模制層具有面向所述基板的表面，所述重分布導電層連接到所述芯片焊盤并且在所述子模制層的所述表面下方延伸，其中，所述重分布導電層包括信號重分布導電層和電源重分布導電層，所述信號重分布導電層朝著所述子模制層的邊緣延伸，所述信號重分布導電層在其端部具有信號重分布焊盤，所述電源重分布導電層的長度比所述信號重分布導電層的長度短，所述電源重分布導電層在其端部具有電源重分布焊盤； 信號子互連器，該信號子互連器具有連接到所述信號重分布焊盤的上表面以及連接到所述基板的下表面； 電源子互連器，該電源子互連器具有連接到所述電源重分布焊盤的上表面以及連接到所述基板的下表面；以及 至少一個主半導體芯片，所述至少一個主半導體芯片形成在所述子半導體封裝上方并且電連接到所述基板， 其中，所述芯片焊盤沿著所述子半導體芯片在第一方向上的第一側邊緣和第二側邊緣并且沿著所述子半導體芯片在第二方向上的第三側邊緣和第四側邊緣設置，所述第二方向垂直于所述第一方向， 其中，所述信號重分布焊盤包括設置在所述子模制層在所述第一方向上的第一側邊緣和第二側邊緣處的多個信號重分布焊盤， 其中，所述信號重分布導電層包括多個信號重分布導電層， 其中，連接到設置在所述子半導體芯片的所述第一側邊緣和所述第三側邊緣處的所述芯片焊盤的所述信號重分布導電層朝著設置在所述子模制層的所述第一側邊緣處的所述信號重分布焊盤延伸，并且 其中，連接到設置在所述子半導體芯片的所述第二側邊緣和所述第四側邊緣處的所述芯片焊盤的所述信號重分布導電層朝著設置在所述子模制層的所述第二側邊緣處的所述信號重分布焊盤延伸。

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