中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司紀世良獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司申請的專利半導體結構的形成方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114188276B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-22發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202010963310.9，技術領域涉及：H10D84/01；該發明授權半導體結構的形成方法是由紀世良;肖杏宇;張海洋設計研發完成，并于2020-09-14向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體結構的形成方法在說明書摘要公布了：一種半導體結構的形成方法，包括：提供襯底；在襯底上形成若干分立的納米結構，相鄰的納米結構之間具有凹槽；在襯底上形成第一介質層和初始隔離結構，所述第一介質層的頂部表面低于所述納米結構的頂部表面，且所述第一介質層位于所述初始隔離結構部分側壁表面，所述初始隔離結構位于至少一個所述凹槽內；對第一介質層暴露出的所述初始隔離結構進行刻蝕，形成隔離結構。所述方法形成的半導體結構性能得到提升。
本發明授權半導體結構的形成方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體結構的形成方法，其特征在于，包括： 提供襯底； 在襯底上形成若干分立的納米結構，相鄰的納米結構之間具有凹槽，所述納米結構包括：第一區、位于第一區上的第二區以及位于第二區上的第三區，所述第一區包括底層納米線，所述第二區包括若干復合層，所述復合層包括犧牲層和位于犧牲層上的納米線； 在襯底上形成第一介質層和初始隔離結構，所述第一介質層的頂部表面低于所述納米結構的頂部表面，且所述第一介質層位于所述初始隔離結構部分側壁表面，所述初始隔離結構位于至少一個所述凹槽內； 對第一介質層暴露出的所述初始隔離結構進行刻蝕，形成隔離結構； 在襯底上形成柵極結構，所述柵極結構橫跨所述納米結構，且所述隔離結構隔離相鄰的柵極結構，所述柵極結構還位于相鄰的納米線之間以及納米線和底層納米線之間。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司，其通訊地址為：201203 上海市浦東新區張江路18號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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