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龍圖騰網獲悉桑迪士克科技有限責任公司申請的專利包含用于接觸通孔結構的介電阱結構的多層三維存儲器器件及其形成方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114730773B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-22發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202080080239.8，技術領域涉及：H10B43/27；該發明授權包含用于接觸通孔結構的介電阱結構的多層三維存儲器器件及其形成方法是由水谷祐樹;廣居雅之;外山史晃設計研發完成，并于2020-06-16向國家知識產權局提交的專利申請。

本包含用于接觸通孔結構的介電阱結構的多層三維存儲器器件及其形成方法在說明書摘要公布了：在襯底上方形成第一絕緣層和第一間隔物材料層的第一豎直交替序列以及第一層后向階梯式介電材料部分。該第一間隔物材料層形成為第一導電層，或者隨后被該第一導電層替換。在該第一豎直交替序列和該第一層后向階梯式介電材料部分上方形成第二絕緣層和第二間隔物材料層的第二豎直交替序列以及第二層后向階梯式介電材料部分。該第二間隔物材料層形成為第二導電層，或者隨后被該第二導電層替換。穿過該第二豎直交替序列在該第一層后向階梯式介電材料部分上方形成開口，并且用介電阱結構填充該開口?？纱┻^該介電阱結構和該第一層后向階梯式介電材料部分在該第一導電層上形成接觸通孔結構。

本發明授權包含用于接觸通孔結構的介電阱結構的多層三維存儲器器件及其形成方法在權利要求書中公布了：1.一種三維存儲器器件，其特征在于，所述三維存儲器器件包括： 第一絕緣層和第一導電層的第一層交替堆疊，所述第一層交替堆疊定位在襯底上方； 第一層后向階梯式介電材料部分，所述第一層后向階梯式介電材料部分覆蓋在所述第一層交替堆疊的第一階梯式表面上面； 第二絕緣層和第二導電層的第二層交替堆疊，其中所述第二層交替堆疊覆蓋在所述第一層交替堆疊上面并且覆蓋在包括所述第一層后向階梯式介電材料部分的平坦頂表面的水平平面上面； 存儲器開口填充結構，所述存儲器開口填充結構定位在第一存儲器陣列區域內并且豎直延伸穿過所述第一層交替堆疊和所述第二層交替堆疊內的每一層，其中所述存儲器開口填充結構中的每一個存儲器開口填充結構包括相應存儲器膜和相應豎直半導體溝道； 第二層后向階梯式介電材料部分，所述第二層后向階梯式介電材料部分覆蓋在所述第二層交替堆疊的第二階梯式表面上面并且延伸穿過所述第二層交替堆疊的第一橫向凹陷部區域；以及 介電阱結構，所述介電阱結構接觸所述第一層后向階梯式介電材料部分的頂表面并且延伸穿過所述第二層交替堆疊的第二橫向凹陷部區域。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人桑迪士克科技有限責任公司，其通訊地址為：美國德克薩斯州；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。