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龍圖騰網(wǎng)獲悉三星電子株式會(huì)社申請(qǐng)的專(zhuān)利半導(dǎo)體封裝獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專(zhuān)利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專(zhuān)利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN111834355B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-22發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專(zhuān)利申請(qǐng)?zhí)?專(zhuān)利號(hào)為：202010167252.9，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D80/30；該發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體封裝是由趙暎相;李稀裼;任允赫;鄭文燮設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2020-03-11向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專(zhuān)利申請(qǐng)。

本半導(dǎo)體封裝在說(shuō)明書(shū)摘要公布了：一種半導(dǎo)體封裝包括：封裝基底；下部半導(dǎo)體芯片，位于所述封裝基底上；中間層，位于所述下部半導(dǎo)體芯片上，所述中間層包括彼此間隔開(kāi)的多個(gè)片段；上部半導(dǎo)體芯片，位于所述中間層上；以及模制構(gòu)件，覆蓋所述下部半導(dǎo)體芯片及所述中間層。

本發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體封裝在權(quán)利要求書(shū)中公布了：1.一種半導(dǎo)體封裝，包括： 封裝基底； 下部半導(dǎo)體芯片，位于所述封裝基底上； 中間層，位于所述下部半導(dǎo)體芯片上，所述中間層包括彼此間隔開(kāi)的多個(gè)片段； 上部半導(dǎo)體芯片，位于所述中間層上；以及 模制構(gòu)件，覆蓋所述下部半導(dǎo)體芯片及所述中間層， 其中所述模制構(gòu)件填充所述中間層的所述多個(gè)片段中的相鄰的片段之間的空間，所述模制構(gòu)件的熱膨脹系數(shù)大于所述中間層的熱膨脹系數(shù)， 其中所述封裝基底的熱膨脹系數(shù)大于所述中間層的所述熱膨脹系數(shù)。

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