福懋科技股份有限公司姜穎宏獲國家專利權
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龍圖騰網(wǎng)獲悉福懋科技股份有限公司申請的專利半導體封裝防磁結構獲國家發(fā)明授權專利權,本發(fā)明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN113066783B 。
龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產權局官網(wǎng)在2025-08-22發(fā)布的發(fā)明授權授權公告中獲悉:該發(fā)明授權的專利申請?zhí)?專利號為:202010001263.X,技術領域涉及:H01L23/552;該發(fā)明授權半導體封裝防磁結構是由姜穎宏;林煜能;陳政宏設計研發(fā)完成,并于2020-01-02向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體封裝防磁結構在說明書摘要公布了:一種半導體封裝防磁結構,其特征在于,包含:基板、第一芯片、第一導線、膠層、第二芯片、金屬薄膜與第二導線,其中基板具有上表面和下表面以及多個貫穿上表面及下表面的電連接結構,同時在上表面及下表面之間具有一個窗口。第一芯片設有主動面及背面,主動面朝下設置在基板的上表面上,同時第一芯片的部分主動面暴露于窗口中,暴露于窗口的部分主動面與基板的電連接結構電性連接,同時第一導線通過暴露于窗口的部分將主動面與基板的下表面電性連接。接著,膠層設置于第一芯片的背面上,然后第二芯片設置在膠層上,藉由膠層使第二芯片固定在第一芯片的背面上。金屬薄膜設置于第二芯片上,以及第二導線同時電性連接金屬薄膜的上表面及基板的上表面上。
本發(fā)明授權半導體封裝防磁結構在權利要求書中公布了:1.一種半導體封裝防磁結構,其特征在于,包含: 基板,具有上表面和下表面,所述基板具有多個貫穿所述上表面及所述下表面的電連接結構以及在所述上表面及所述下表面之間具有窗口; 第一芯片,具有主動面及背面,所述第一芯片的所述主動面朝下設置在所述基板的所述上表面上,且所述第一芯片的部分所述主動面暴露于所述窗口且部分所述主動面與所述電連接結構電性連接; 第一導線,通過暴露于所述窗口的部分將所述第一芯片的所述主動面與所述基板的所述下表面電性連接; 膠層,設置于所述第一芯片的所述背面上; 第二芯片,設置在所述膠層上,藉由所述膠層使所述第二芯片固定在所述第一芯片的所述背面上; 金屬薄膜,設置于所述第二芯片上; 第二導線,分別電性連接所述金屬薄膜的上表面及所述基板的所述上表面上;以及 封裝結構,用以包覆所述基板的部分所述上表面、所述第二導線、所述金屬薄膜、在所述窗口內的所述第一導線及暴露于所述窗口的所述基板的所述下表面。
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