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龍圖騰網獲悉廣東長興半導體科技有限公司申請的專利高效能引線鍵合技術在存儲芯片封裝中的應用方法及系統獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN120387419B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-26發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510846591.2，技術領域涉及：G06F30/3953；該發明授權高效能引線鍵合技術在存儲芯片封裝中的應用方法及系統是由張治強;郭東林;牛玉雷;張茜;楊師設計研發完成，并于2025-06-24向國家知識產權局提交的專利申請。

本高效能引線鍵合技術在存儲芯片封裝中的應用方法及系統在說明書摘要公布了：本發明涉及微電子封裝技術領域，揭露了一種高效能引線鍵合技術在存儲芯片封裝中的應用方法及系統，包括：確定存儲芯片的引線高能效條件，分析待選引線的引線性能，根據引線高能效條件和引線性能，從待選引線中篩選出存儲芯片的高能效鍵合引線；計算高能效鍵合引線的彎曲半徑、引線長度以及引線角度，構建高能效鍵合引線的引線成形控制模塊；分析鍵合參數和鍵合效果的影響系數，構建高能效鍵合引線的鍵合參數優化模塊；確定存儲芯片的封裝溫度范圍，監測存儲芯片對應封裝區域的實時溫度數據，構建存儲芯片和高能效鍵合引線的熱管理模塊；集成存儲芯片的封裝控制模塊，執行存儲芯片的封裝控制。本發明可以提升存儲芯片封裝的效率和質量。

本發明授權高效能引線鍵合技術在存儲芯片封裝中的應用方法及系統在權利要求書中公布了：1.一種高效能引線鍵合技術在存儲芯片封裝中的應用方法，其特征在于，所述方法包括： 明確存儲芯片的封裝需求，基于所述封裝需求，確定所述存儲芯片的引線高能效條件，獲取所述存儲芯片的待選引線，分析所述待選引線的引線性能，根據所述引線高能效條件和所述引線性能，從所述待選引線中篩選出所述存儲芯片的高能效鍵合引線； 識別所述存儲芯片的芯片焊盤位置和所述存儲芯片對應封裝基板的基板焊盤位置，根據所述芯片焊盤位置和所述基板焊盤位置，計算所述高能效鍵合引線的彎曲半徑、引線長度以及引線角度，根據所述彎曲半徑、所述引線長度以及所述引線角度，構建所述高能效鍵合引線的引線成形控制模塊； 獲取所述存儲芯片的引線鍵合數據，識別所述引線鍵合數據中的鍵合參數和鍵合效果，基于所述引線鍵合數據，分析所述鍵合參數和所述鍵合效果的影響系數，根據所述影響系數，構建所述高能效鍵合引線的鍵合參數優化模塊； 分析所述存儲芯片的芯片熱特性和高能效鍵合引線的引線熱特性，根據所述芯片熱特性和所述引線熱特性，確定所述存儲芯片的封裝溫度范圍，構建所述存儲芯片的封裝溫度監測單元，基于所述封裝溫度監測單元，實時監測所述存儲芯片對應封裝區域的實時溫度數據，根據所述封裝溫度范圍和所述實時溫度數據，構建所述存儲芯片和所述高能效鍵合引線的熱管理模塊； 根據所述引線成形控制模塊、所述鍵合參數優化模塊以及所述熱管理模塊，集成所述存儲芯片的封裝控制模塊，基于所述封裝控制模塊，執行所述存儲芯片的封裝控制。

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