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龍圖騰網獲悉真芯(北京)半導體有限責任公司申請的專利讀出放大器、存儲裝置以及電子設備獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114708892B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-26發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210150312.5，技術領域涉及：G11C7/06；該發明授權讀出放大器、存儲裝置以及電子設備是由池性洙;金基鎬;金正鎬;孫周煥;易莎設計研發完成，并于2022-02-18向國家知識產權局提交的專利申請。

本讀出放大器、存儲裝置以及電子設備在說明書摘要公布了：本公開公開涉及讀出放大器、包括該讀出放大器的存儲裝置以及包括該存儲裝置的電子設備，該讀出放大器包括：第一隔離單元；第二隔離單元；第一偏移消除單元；第二偏移消除單元；以及感測放大單元，其包括第一NMOS晶體管、第二NMOS晶體管、第一PMOS晶體管和第二PMOS晶體管，其中，讀出放大器還包括第一均衡單元和第二均衡單元中的至少一者，其中第一均衡單元配置成選擇性地將預充電電壓施加到位線，且第二均衡單元配置成選擇性地將預充電電壓施加到互補位線。由此，能夠改善預充電操作中對位線的均衡性能，從而提高讀出放大器的感測效率。

本發明授權讀出放大器、存儲裝置以及電子設備在權利要求書中公布了：1.一種用于存儲裝置的讀出放大器，包括： 第一隔離單元，其配置成選擇性地連接位線和感測位線； 第二隔離單元，其配置成選擇性地連接互補位線和互補感測位線； 第一偏移消除單元，其配置成選擇性地連接所述位線和所述互補感測位線； 第二偏移消除單元，其配置成選擇性地連接所述互補位線和所述感測位線；以及 感測放大單元，其包括第一NMOS晶體管、第二NMOS晶體管、第一PMOS晶體管和第二PMOS晶體管，其中所述第一NMOS晶體管響應于所述位線的信號連接或斷開所述互補感測位線和第一感測驅動信號線，所述第二NMOS晶體管響應于所述互補位線的信號連接或斷開所述感測位線和第二感測驅動信號線，所述第一PMOS晶體管響應于所述感測位線的信號連接或斷開所述互補感測位線和第三感測驅動信號線，所述第二PMOS晶體管響應于所述互補感測位線的信號連接或斷開所述感測位線和第四感測驅動信號線， 所述讀出放大器還包括第一均衡單元和第二均衡單元中的至少一者，其中所述第一均衡單元連接在所述位線上，所述第二均衡單元連接在所述互補位線上，所述第一均衡單元配置成選擇性地將預充電電壓施加到所述位線，且所述第二均衡單元配置成選擇性地將所述預充電電壓施加到所述互補位線。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人真芯(北京)半導體有限責任公司，其通訊地址為：100101 北京市朝陽區北辰東路8號院1號樓23層2301內2301、2302、2303號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。