買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標(biāo)用IPTOP,全免費(fèi)！專利年費(fèi)監(jiān)控用IP管家,真方便！

龍圖騰網(wǎng)獲悉南京大學(xué)申請(qǐng)的專利一種精確引導(dǎo)生長(zhǎng)高均一性直徑納米線的方法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN114400248B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-26發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202210041211.4，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D62/10；該發(fā)明授權(quán)一種精確引導(dǎo)生長(zhǎng)高均一性直徑納米線的方法是由余林蔚;程銀子;劉宗光;梁逸飛;胡瑞金;王軍轉(zhuǎn)設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2022-01-14向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本一種精確引導(dǎo)生長(zhǎng)高均一性直徑納米線的方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明公開了一種精確引導(dǎo)生長(zhǎng)高均一性直徑納米線的方法，包括以下幾個(gè)步驟：通過PECVD于垂直方向交替沉積多層SiO2和Si3N4，形成縱向密排堆疊結(jié)構(gòu)，等離子體刻蝕和酸處理后形成縱向側(cè)壁引導(dǎo)凹槽；或者，在襯底上通過電子束曝光及刻蝕獲得橫向平面內(nèi)密排引導(dǎo)溝槽；將整個(gè)襯底樣品沉積非晶硅前驅(qū)體，非晶硅前驅(qū)體的厚度大于所述引導(dǎo)凹槽或者大于密排引導(dǎo)溝槽的深度以形成更好的前驅(qū)體覆蓋；通過等離子體刻蝕技術(shù)，將所述引導(dǎo)凹槽或密排引導(dǎo)溝槽的表面、側(cè)壁上的非晶硅前驅(qū)體刻蝕掉，僅保留引導(dǎo)凹槽或引導(dǎo)溝槽內(nèi)部的非晶硅前驅(qū)體。

本發(fā)明授權(quán)一種精確引導(dǎo)生長(zhǎng)高均一性直徑納米線的方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種精確引導(dǎo)生長(zhǎng)高均一性直徑納米線的方法，其特征在于：包括以下幾個(gè)步驟： 第一步，基材層的形成：通過PECVD于垂直方向交替沉積多層SiO2和Si3N4，形成縱向密排堆疊的基材結(jié)構(gòu)，等離子體刻蝕和酸處理后形成縱向側(cè)壁引導(dǎo)凹槽； 或者，在SiO2或者Si襯底上通過電子束曝光及刻蝕獲得橫向平面內(nèi)密排引導(dǎo)溝槽； 第二步，催化金屬的定義：利用電子束曝光或者光刻技術(shù)在縱向側(cè)壁引導(dǎo)凹槽或者密排引導(dǎo)溝槽的一端定義催化劑金屬的條帶區(qū)域，并蒸鍍催化金屬； 第三步，氫氣等離子體處理縮球：利用氫氣等離子體刻蝕方式使催化金屬顆粒縮球； 第四步，非晶前驅(qū)體的淀積：將整個(gè)襯底樣品沉積非晶硅前驅(qū)體，所述非晶硅前驅(qū)體的厚度大于所述引導(dǎo)凹槽或者大于所述密排引導(dǎo)溝槽的深度以形成更好的前驅(qū)體覆蓋； 第五步，非晶前驅(qū)體的處理：通過等離子體刻蝕技術(shù)，刻蝕除引導(dǎo)凹槽或密排引導(dǎo)溝槽內(nèi)部之外的非晶硅前驅(qū)體層； 第六步，納米線的生長(zhǎng)：加熱處理樣品，驅(qū)動(dòng)金屬催化劑顆粒以結(jié)晶生長(zhǎng)出精確引導(dǎo)的高均一性直徑的晶硅納米線。

如需購(gòu)買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)＠麢?quán)人南京大學(xué)，其通訊地址為：210000 江蘇省南京市棲霞區(qū)仙林大道163號(hào)；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。