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龍圖騰網(wǎng)獲悉廈門乾照光電股份有限公司申請的專利一種發(fā)光外延結(jié)構(gòu)及發(fā)光二極管芯片獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN114744086B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-26發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202111679335.7，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10H20/812；該發(fā)明授權(quán)一種發(fā)光外延結(jié)構(gòu)及發(fā)光二極管芯片是由林志偉;崔恒平;蔡玉梅;蔡海防;陳凱軒設(shè)計研發(fā)完成，并于2021-12-31向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種發(fā)光外延結(jié)構(gòu)及發(fā)光二極管芯片在說明書摘要公布了：本發(fā)明提供了一種發(fā)光外延結(jié)構(gòu)及發(fā)光二極管芯片，其中發(fā)光二極管芯片包括有通過隧穿結(jié)過渡的第一有源層和第二有源層；或者，發(fā)光二極管芯片包括有通過絕緣層相疊加的第一有源層和第二有源層，使得發(fā)光二極管芯片包括有更多的發(fā)光區(qū)域，能夠有效提高發(fā)光二極管芯片的出光亮度。同時，通過設(shè)計包括更多發(fā)光區(qū)域的發(fā)光二極管芯片，能夠使得發(fā)光二極管芯片具有混色調(diào)光的性能，擴大發(fā)光二極管芯片的適用范圍。

本發(fā)明授權(quán)一種發(fā)光外延結(jié)構(gòu)及發(fā)光二極管芯片在權(quán)利要求書中公布了：1.一種發(fā)光外延結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括： 依次疊加的襯底、第一類型導電層、第一有源層、隧穿結(jié)、第二有源層和第二類型導電層，其中，所述隧穿結(jié)包括靠近所述第一類型導電層且與所述第一類型導電層摻雜相反的底層，及靠近所述第二類型導電層且與所述第二類型導電層摻雜相反的表層；所述底層的摻雜濃度大于所述第一類型導電層的摻雜濃度，所述表層的摻雜濃度大于所述第二類型導電層的摻雜濃度； 所述第一有源層包括多個交替的第一量子阱和第一量子壘，且所述第一有源層靠近所述第一類型導電層為所述第一量子阱，及所述第一有源層靠近所述隧穿結(jié)為所述第一量子壘，所述第一量子阱的應變?yōu)閍1、所述第一量子壘的應變?yōu)閍2，所述隧穿結(jié)的應變?yōu)閎，所述襯底的應變?yōu)閏，其中，a1＞a2≥b＞c； 所述第二有源層包括多個交替的第二量子壘和第二量子阱，且所述第二有源層靠近所述隧穿結(jié)為所述第二量子壘，及所述第二有源層靠近所述第二類型導電層為所述第二量子壘，所述第二量子阱的應變?yōu)閐1、所述第二量子壘的應變?yōu)閐2，其中，d1＞d2≥b＞c。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人廈門乾照光電股份有限公司，其通訊地址為：361100 福建省廈門市火炬高新區(qū)（翔安）產(chǎn)業(yè)區(qū)翔天路259-269號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。