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龍圖騰網(wǎng)獲悉濟(jì)南晶正電子科技有限公司申請(qǐng)的專利基于等離子體刻蝕的黑化單晶壓電復(fù)合薄膜及其制備方法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN114388688B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-26發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202111641490.X，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10N30/04；該發(fā)明授權(quán)基于等離子體刻蝕的黑化單晶壓電復(fù)合薄膜及其制備方法是由鄭姍姍;李真宇;連坤;劉亞明;孔霞設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2021-12-29向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本基于等離子體刻蝕的黑化單晶壓電復(fù)合薄膜及其制備方法在說明書摘要公布了：本申請(qǐng)公開一種基于等離子體刻蝕的黑化單晶壓電復(fù)合薄膜及其制備方法，包括準(zhǔn)備壓電晶圓和襯底基板，其中，所述壓電晶圓為鈮酸鋰晶圓或鉭酸鋰晶圓；利用離子注入?鍵合法或者鍵合?研磨拋光法，制備得到單晶壓電復(fù)合薄膜，其中，所述單晶壓電復(fù)合薄膜包括依次層疊的襯底基板和目標(biāo)厚度的薄膜層；對(duì)所述單晶壓電復(fù)合薄膜中薄膜層進(jìn)行等離子體刻蝕處理，其中，所述等離子體刻蝕處理所使用的等離子體包括還原性等離子體和或惰性等離子體；對(duì)黑化后的薄膜層研磨拋光處理，得到黑化單晶壓電復(fù)合薄膜。通過等離子體刻蝕方法對(duì)薄膜層處理，使薄膜層內(nèi)氧空位濃度提升，從而實(shí)現(xiàn)修復(fù)薄膜層的黑化或者抑制薄膜層的白化。

本發(fā)明授權(quán)基于等離子體刻蝕的黑化單晶壓電復(fù)合薄膜及其制備方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種基于等離子體刻蝕的黑化單晶壓電復(fù)合薄膜的制備方法，其特征在于，包括： 準(zhǔn)備壓電晶圓和襯底基板，其中，所述壓電晶圓為鈮酸鋰晶圓或鉭酸鋰晶圓； 利用離子注入-鍵合法或者鍵合-減薄法，制備得到單晶壓電復(fù)合薄膜，其中，所述單晶壓電復(fù)合薄膜包括依次層疊的襯底基板和目標(biāo)厚度的薄膜層； 對(duì)所述單晶壓電復(fù)合薄膜中薄膜層進(jìn)行等離子體刻蝕處理，使所述薄膜層黑化，對(duì)黑化后的薄膜層研磨拋光處理，得到黑化單晶壓電復(fù)合薄膜，其中，所述等離子體刻蝕處理所使用的等離子體包括還原性等離子體和或惰性等離子體。

如需購(gòu)買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)＠麢?quán)人濟(jì)南晶正電子科技有限公司，其通訊地址為：250100 山東省濟(jì)南市高新區(qū)港興三路北段1號(hào)濟(jì)南藥谷研發(fā)平臺(tái)1號(hào)樓B1806；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。