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龍圖騰網(wǎng)獲悉青島歌爾微電子研究院有限公司申請(qǐng)的專利一種電磁屏蔽封裝方法以及電磁屏蔽封裝結(jié)構(gòu)獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN114496814B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-26發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202111604469.2，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L21/54；該發(fā)明授權(quán)一種電磁屏蔽封裝方法以及電磁屏蔽封裝結(jié)構(gòu)是由盛安設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2021-12-24向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本一種電磁屏蔽封裝方法以及電磁屏蔽封裝結(jié)構(gòu)在說(shuō)明書摘要公布了：本申請(qǐng)公開(kāi)了一種電磁屏蔽封裝方法以及電磁屏蔽封裝結(jié)構(gòu)。電磁屏蔽封裝方法包括：在基板的第一表面上貼裝至少兩個(gè)芯片；在所述基板上形成覆蓋所述芯片的塑封體；在所述塑封體和基板上開(kāi)設(shè)溝槽，所述溝槽沿塑封體的厚度方向延伸，且延伸至基板的接地層；所述溝槽位于相鄰兩個(gè)芯片之間；通過(guò)熱壓的方式在塑封體的外表面覆蓋有導(dǎo)電聚合物膜，以及在溝槽內(nèi)填充有導(dǎo)電聚合物膜。

本發(fā)明授權(quán)一種電磁屏蔽封裝方法以及電磁屏蔽封裝結(jié)構(gòu)在權(quán)利要求書中公布了：1.一種電磁屏蔽封裝方法，其特征在于，包括： 在基板1的第一表面上貼裝至少兩個(gè)芯片2； 在所述基板1上形成覆蓋所述芯片2的塑封體3； 在所述塑封體3和所述基板1上開(kāi)設(shè)溝槽4，所述溝槽4沿塑封體3的厚度方向延伸，且延伸至基板1的接地層11；所述溝槽4位于相鄰兩個(gè)芯片2之間； 通過(guò)熱壓的方式在塑封體3的外表面覆蓋有導(dǎo)電聚合物膜5，以及在溝槽4內(nèi)填充有導(dǎo)電聚合物膜5； 其中，通過(guò)熱壓的方式在塑封體3的外表面覆蓋有導(dǎo)電聚合物膜5，以及在溝槽4內(nèi)填充有導(dǎo)電聚合物膜5，包括： 在熱壓模具6的第一模具61的型腔表面設(shè)置有導(dǎo)電聚合物膜5；將熱壓模具6的第一模具61蓋設(shè)在塑封體3上，使得塑封體3位于型腔內(nèi)； 將熱壓模具6的第一模具61和第二模具62合模，并進(jìn)行熱壓處理，使得熔融態(tài)的導(dǎo)電聚合物膜5填充所述溝槽4，同時(shí)熔融態(tài)的導(dǎo)電聚合物膜5覆蓋所述塑封體3外表面以在所述溝槽4內(nèi)以及所述塑封體3的外表面覆導(dǎo)電聚合物膜5。

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