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龍圖騰網(wǎng)獲悉合肥工業(yè)大學(xué)申請(qǐng)的專利陣列型TiO2/CdS復(fù)合電子傳輸層的制備及其體相異質(zhì)結(jié)太陽能電池應(yīng)用獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN114267792B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-26發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202111579405.1，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10K30/85；該發(fā)明授權(quán)陣列型TiO2/CdS復(fù)合電子傳輸層的制備及其體相異質(zhì)結(jié)太陽能電池應(yīng)用是由周儒;李孝章;王長雪;陳驍;唐波;周佳程;周鈞天設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2021-12-22向國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本陣列型TiO2/CdS復(fù)合電子傳輸層的制備及其體相異質(zhì)結(jié)太陽能電池應(yīng)用在說明書摘要公布了：本發(fā)明公開了一種陣列型TiO2CdS復(fù)合電子傳輸層的制備及其體相異質(zhì)結(jié)太陽能電池應(yīng)用，首先，采用旋涂工藝制備TiO2致密層；其次，在TiO2致密層基底上利用水熱法制備CdS納米棒，獲得陣列型TiO2CdS復(fù)合納米結(jié)構(gòu)電子傳輸層，以設(shè)計(jì)體相異質(zhì)結(jié)太陽能電池。本發(fā)明所制備復(fù)合納米結(jié)構(gòu)電子傳輸層中，TiO2致密層的沉積有利于CdS納米棒在襯底上的豎直生長，獲得高質(zhì)量一維結(jié)構(gòu)電子傳輸層；TiO2CdS復(fù)合電子傳輸層與太陽能電池吸收層材料形成理想的梯度能級(jí)排列，提高了界面處光生電子提取效率；CdS納米棒豎直生長特征為載流子提供了更為高效的傳輸路徑，有助于抑制器件內(nèi)部的電荷復(fù)合。

本發(fā)明授權(quán)陣列型TiO2/CdS復(fù)合電子傳輸層的制備及其體相異質(zhì)結(jié)太陽能電池應(yīng)用在權(quán)利要求書中公布了：1.一種陣列型TiO2CdS復(fù)合電子傳輸層的制備方法，其特征在于： 在導(dǎo)電玻璃上旋涂制備TiO2致密層，并進(jìn)一步利用水熱法在TiO2基底上生長一維CdS納米棒，進(jìn)而獲得TiO2CdS納米棒復(fù)合電子傳輸層； 所述復(fù)合電子傳輸層中，TiO2致密層的厚度為20-30nm，CdS納米棒的長度為100-500nm； 所述制備方法包括如下步驟： 步驟1：將清洗好的導(dǎo)電基底放入紫外臭氧清洗機(jī)中，臭氧處理15-25min； 步驟2：配制0.1-0.2molL雙乙酰丙酮基二異丙基鈦酸酯的正丁醇溶液，并在室溫下攪拌1-2h，形成致密層前驅(qū)體溶液； 步驟3：取40-120μL的致密層前驅(qū)體溶液并滴加到導(dǎo)電基底上，并以轉(zhuǎn)速500-1000rpm旋涂3-6s，再以2000-3000rpm的轉(zhuǎn)速旋涂30-50s； 步驟4：旋涂結(jié)束后，將樣品放到加熱臺(tái)上退火，最后放入馬弗爐中，梯度升溫至450-550℃，燒結(jié)30-60min，形成TiO2致密層； 步驟5：將CdNO32·4H2O，硫脲和谷胱甘肽依次加入去離子水中，并在室溫下攪拌10-20min，獲得混合溶液；所述混合溶液中CdNO32·4H2O的濃度為0.005-0.015M，硫脲的濃度為0.02-0.04M，谷胱甘肽的濃度為0.003-0.012M； 步驟6：將導(dǎo)電玻璃TiO2致密層導(dǎo)電面朝下浸入步驟5的混合溶液中，并轉(zhuǎn)移至反應(yīng)釜進(jìn)行水熱反應(yīng)，水熱反應(yīng)的溫度為180-220℃，反應(yīng)時(shí)間為50-150min；反應(yīng)結(jié)束后取出，用大量清水沖洗，放入干燥箱中烘干，獲得淡黃色CdS薄膜，即為TiO2CdS納米棒陣列復(fù)合納米結(jié)構(gòu)。

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