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龍圖騰網獲悉上海微阱電子科技有限公司申請的專利一種多層阻變存儲器的形成方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114373863B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-26發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111566706.0，技術領域涉及：H10N70/20；該發明授權一種多層阻變存儲器的形成方法是由左青云;盧意飛設計研發完成，并于2021-12-20向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種多層阻變存儲器的形成方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種多層阻變存儲器的形成方法，該方法包括：提供半導體襯底，半導體襯底內形成有下電極，在半導體襯底上淀積第一氧含量的氧化物，形成位于半導體襯底上的第一阻變層；在第一阻變層上淀積第二氧含量的氧化物，形成位于第一阻變層上的第二阻變層，第二氧含量大于第一氧含量；在第二阻變層上淀積第一氧含量的氧化物，形成位于第二阻變層上的第三阻變層；對第三阻變層進行氧化處理，使得第三阻變層轉換為第四阻變層，在第四阻變層上形成上電極；圖形化上電極、第一阻變層、第二阻變層和第四阻變層，形成存儲器。該方法可以提升淀積的阻變層材料的氧化物的可控性及可控制備，有利于提升阻變存儲器特性。

本發明授權一種多層阻變存儲器的形成方法在權利要求書中公布了：1.一種多層阻變存儲器的形成方法，其特征在于，包括： 提供半導體襯底，所述半導體襯底內形成有下電極，所述下電極接觸所述半導體襯底的上表面； 采用物理氣相淀積在所述半導體襯底上淀積第一氧含量的氧化物，形成位于所述半導體襯底上的第一阻變層； 采用物理氣相淀積或濺射淀積在所述第一阻變層上淀積第二氧含量的所述氧化物，形成位于所述第一阻變層上的第二阻變層，所述第二氧含量大于所述第一氧含量； 采用物理氣相淀積在所述第二阻變層上淀積第一氧含量的所述氧化物，形成位于所述第二阻變層上的第三阻變層； 對所述第三阻變層進行氧化處理，使得所述第三阻變層轉換為第四阻變層，所述第四阻變層的氧含量大于所述第二阻變層的氧含量； 在所述第四阻變層上形成上電極； 圖形化上電極、第一阻變層、第二阻變層和第四阻變層，形成存儲器。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人上海微阱電子科技有限公司，其通訊地址為：201210 上海市浦東新區芳春路400號1幢3層；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。