萬國半導體國際有限合伙公司李文軍獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉萬國半導體國際有限合伙公司申請的專利氣體摻雜物摻雜的深溝槽超級結高壓MOSFET獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114530415B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-26發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111319000.4，技術領域涉及：H10D84/03；該發明授權氣體摻雜物摻雜的深溝槽超級結高壓MOSFET是由李文軍;陳凌兵;管靈鵬;王健設計研發完成，并于2021-11-09向國家知識產權局提交的專利申請。
本氣體摻雜物摻雜的深溝槽超級結高壓MOSFET在說明書摘要公布了：本發明公開了一種制造方法和一種超級結MOSFET。超級結MOSFET包括在第一導電類型的重摻雜襯底上的第一導電類型的輕摻雜外延層，在外延層中形成深溝槽。所述深溝槽具有在所述深溝槽的表面上形成的具有厚度梯度的絕緣層。靠近深溝槽側壁的外延層的一個或多個區域摻雜第二導電類型，其中第二導電類型與第一導電類型相反。最后，在外延層中形成MOSFET器件結構。
本發明授權氣體摻雜物摻雜的深溝槽超級結高壓MOSFET在權利要求書中公布了：1.一種用于制備超級結MOSFET的方法，其特征在于，包括： a在一個第一導電類型的重摻雜襯底上制備一個第一導電類型的輕摻雜外延層； b在外延層表面上，制備一個硬掩膜； c通過硬掩膜，在外延層中刻蝕多個深溝槽； d在多個深溝槽的側壁附近，用第二導電類型的氣體摻雜物摻雜外延層區域，其中第二導電類型與第一導電類型相反； e在外延層中，制備MOSFET器件結構； 其中，在步驟d之前，在多個深溝槽的每個側壁上，制備一個絕緣層；多個深溝槽的每個側壁上的絕緣層都有梯度厚度；多個深溝槽的每個側壁上的絕緣層在深溝槽的底部附近，都比深溝槽頂部開口附近更薄； 其中，摻雜第二導電類型的外延層，在深溝槽附近的外延層中形成一個第二導電類型的立柱，并且其中用第二導電類型的摻雜物摻雜外延層包括使用氣相摻雜；相鄰的深溝槽之間的外延層中第二導電類型的立柱部分，被它們之間的外延層區域分開，并且與外延層區域保持電荷平衡。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人萬國半導體國際有限合伙公司，其通訊地址為：加拿大安大略多倫多國王西街100號6000室（M5X1E2）；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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