上海華力微電子有限公司劉濤獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉上海華力微電子有限公司申請的專利NAND閃存器件及形成方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114005788B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-26發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111266559.5，技術領域涉及：H01L21/768；該發明授權NAND閃存器件及形成方法是由劉濤;巨曉華;王奇偉設計研發完成，并于2021-10-28向國家知識產權局提交的專利申請。
本NAND閃存器件及形成方法在說明書摘要公布了：本發明提供了一種NAND閃存器件的形成方法，包括：提供一襯底，所述襯底上具有多個柵極，在所述柵極的兩側的襯底上形成有漏區和源區，所述柵極的兩側壁上形成有側墻；形成介質層，所述介質層覆蓋所述襯底、所述多個柵極及所述側墻；對所述介質層執行第一次刻蝕工藝，在介質層內形成對準所述漏區的接觸孔，并形成對準所述源區的接觸溝槽，所述接觸溝槽貫穿所述介質層并延伸至所述襯底；在所述介質層上形成保護層，所述保護層具有一開口，所述開口暴露出所述接觸孔以及所述接觸孔周圍的部分所述介質層；所述保護層保護源區的接觸溝槽不進行第二次刻蝕工藝，防止源區的接觸溝槽內襯底的過多流失，從而能夠解決晶圓漏電的問題。
本發明授權NAND閃存器件及形成方法在權利要求書中公布了：1.一種NAND閃存器件的形成方法，其特征在于，包括： 提供一襯底，所述襯底上具有多個柵極，在所述柵極的兩側的襯底上形成有漏區和源區，所述柵極的兩側壁上形成有側墻； 形成介質層，所述介質層覆蓋所述襯底、所述多個柵極及所述側墻； 對所述介質層執行第一次刻蝕工藝，在介質層內形成對準所述漏區的接觸孔，并形成對準所述源區的接觸溝槽，所述接觸溝槽貫穿所述介質層并延伸至所述襯底中； 在所述介質層上形成保護層，所述保護層具有一開口，所述開口暴露出所述接觸孔以及所述接觸孔周圍的部分所述介質層； 執行第二次刻蝕工藝，以形成與所述接觸孔連通的所述漏區的橫向連線的溝槽，同時所述接觸孔貫穿所述介質層并延伸至所述襯底中。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人上海華力微電子有限公司，其通訊地址為：201315 上海市浦東新區良騰路6號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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