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龍圖騰網獲悉深圳市中融合眾技術服務有限公司申請的專利一種屏蔽柵溝槽MOSFET的制作方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114005789B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-26發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111267936.7，技術領域涉及：H10D84/03；該發明授權一種屏蔽柵溝槽MOSFET的制作方法是由顏宇;顏妮娜設計研發完成，并于2021-10-27向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種屏蔽柵溝槽MOSFET的制作方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種屏蔽柵溝槽MOSFET的制作方法，包括在外延層對應元胞區的區域形成第二導電類型的多個第一摻雜區及在外延層對應屏蔽柵連線區的區域形成第二導電類型的第二摻雜區；在外延層的表層之中形成第二導電類型的第三摻雜區，并在外延層對應第一摻雜區的位置形成溝槽，所述溝槽延伸至第一摻雜區的部分區域；在溝槽中淀積多晶硅，并在第三摻雜區之中形成第一導電類型的第四摻雜區，本發明采用第一摻雜區作為屏蔽柵，替代了傳統方法中的多晶硅屏蔽柵，因此不需要采用深溝槽工藝，也不需要在狹窄的溝槽之中制作多晶硅層間介質，從而避開了工藝方面難以控制的深溝槽工藝、多晶硅層間介質工藝的質量不穩定和可靠性問題。

本發明授權一種屏蔽柵溝槽MOSFET的制作方法在權利要求書中公布了：1.一種屏蔽柵溝槽MOSFET的制作方法，其特征在于，包括以下步驟： 在第一導電類型的襯底的表面生長第一導電類型的外延層，所述外延層的厚度為4-15微米； 在外延層對應元胞區的區域形成第二導電類型的多個第一摻雜區及在外延層對應屏蔽柵連線區的區域形成第二導電類型的第二摻雜區，形成所述第一摻雜區、第二摻雜區的離子注入工藝為多次離子注入，每次離子注入的能量和劑量不同，且所述第一摻雜區、第二摻雜區分布于外延層的設定區域的從表面至預設深度的縱深區域，所述預設深度為外延層的厚度的24-34，形成的所述第一摻雜區及所述第二摻雜區在注入過程中，采用多次能量和劑量遞變的離子注入工藝形成第一摻雜區和第二摻雜區； 在外延層的表層之中形成第二導電類型的第三摻雜區，并在外延層對應第一摻雜區的位置形成溝槽，所述溝槽延伸至第一摻雜區的部分區域，所述溝槽的深度為1-2微米，且所述溝槽的寬度大于所述第一摻雜區的寬度； 在溝槽側壁及外延層頂部生長氧化層，并激活第一摻雜區、第二摻雜區及第三摻雜區中的摻雜物； 在溝槽中淀積多晶硅，并覆蓋于氧化層上，去除溝槽之外的多晶硅，以及在第三摻雜區之中形成第一導電類型的第四摻雜區，其中，第四摻雜區置于元胞區的區域內； 在氧化層和多晶硅上淀積介質層，并在介質層之中形成第一接觸孔、第二接觸孔及第三接觸孔，并在第一接觸孔、第二接觸孔及第三接觸孔內淀積金屬形成第一金屬連線，第二金屬連線和第三金屬連線； 所述第一接觸孔穿過介質層進入到溝槽之中的多晶硅，所述第二接觸孔依次穿過介質層、氧化層進入到第三摻雜區，所述第三接觸孔依次穿過介質層、氧化層、第四摻雜區進入第三摻雜區。

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