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龍圖騰網(wǎng)獲悉中國(guó)科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所申請(qǐng)的專利基于光電隔離的Micro-LED器件及其制備方法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN115064629B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-26發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202111248207.7，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10H20/84；該發(fā)明授權(quán)基于光電隔離的Micro-LED器件及其制備方法是由徐峰;鄧旭光;譚毅;張寶順設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2021-10-26向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本基于光電隔離的Micro-LED器件及其制備方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明揭示了一種基于光電隔離的Micro?LED器件及其制備方法，所述Micro?LED器件包括自下而上依次設(shè)置的襯底、N型半導(dǎo)體層、多量子阱層、P型半導(dǎo)體層及電極，所述多量子阱層包括若干分離設(shè)置的多量子阱結(jié)構(gòu)，P型半導(dǎo)體層包括若干位于多量子阱結(jié)構(gòu)上的P型半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，所述多量子阱結(jié)構(gòu)上還設(shè)有形成于P型半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)側(cè)壁上的隔離層，所述隔離層及多量子阱結(jié)構(gòu)的側(cè)壁上設(shè)有反射層，所述電極包括與N型半導(dǎo)體層電性連接的N電極及與P型半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)電性連接的P電極。本發(fā)明中的Micro?LED器件通過引入隔離層及反射層，可以實(shí)現(xiàn)器件的電學(xué)隔離及光學(xué)隔離，提高了器件的發(fā)光效率及顯示對(duì)比度，降低了光學(xué)串?dāng)_效應(yīng)。

本發(fā)明授權(quán)基于光電隔離的Micro-LED器件及其制備方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種基于光電隔離的Micro-LED器件的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括： 提供襯底； 在襯底上依次外延生長(zhǎng)N型半導(dǎo)體層、多量子阱層及P型半導(dǎo)體層； 對(duì)P型半導(dǎo)體層的非發(fā)光區(qū)域進(jìn)行離子注入，形成若干離子注入?yún)^(qū)； 刻蝕部分離子注入?yún)^(qū)及其下方的多量子阱層，形成若干分離設(shè)置的多量子阱結(jié)構(gòu)、及位于其上的P型半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)和隔離層； 在隔離層及多量子阱結(jié)構(gòu)的側(cè)壁上形成反射層； 在P型半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)上形成P電極，及，在N型半導(dǎo)體層上形成N電極。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)＠麢?quán)人中國(guó)科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所，其通訊地址為：215123 江蘇省蘇州市工業(yè)園區(qū)若水路398號(hào)；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。